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开关电源中变压器的应用 由于其高效、体积小、性能稳定等优点，现代锂电器逐渐取代了传统的线性电源，并在电子、证券交易所和家电行业得到了广泛应用。单端反激式拓扑结构的变压器, 在多路输出情况下电路简单, 成本较低且具有效率高等优点, 被越来越多地应用在中小功率的开关电源中。 1 变压器t上负下正 反激式开关电源变压器实质上是一个耦合电感, 它具有变压, 电气隔离, 磁耦合传送能量等作用, 基于TOPSwitch-GX的典型反激式开关电源电路图如图1所示。T为变压器, TOP-Switch-GX内部的MOSFET导通时, 电流由漏极D经过内部MOSFET管流向源极S, 使变压器T初级绕组两端的电压为上正下负, 而同名端与初级绕组相反的次级绕组的电压相位是上负下正, 此时次级整流二极管D2被反向偏置而截止, 能量储存在变压器中, 负载电流由输出电容C2供电;当芯片内部MOS-FET截止时, 初级绕组两端电压极性反向, 使次级绕组相位变为上正下负, 整流二极管D2被正向偏置而导通, 此时储存在变压器中的能量开始向负载和输出电容传递。 2 反激式变换器参数设计 设计的变压器要求在交流输入电压为165V~265V的开关电源中能够提供八路电压输出。这八路输出参数分别为:2路共地输出±14V/0.2A;3路独立地15V/0.2A, 1路独立地15V/0.5A;2路独立地±5V/2A。设计变压器工作在CCM模式下, 具体步骤如下。 (1) 已知参数的确定 根据设计要求和电路特点确定以下参数:输入直流电压范围Vinmin~Vinmax, 工作频率f=66k Hz, 期望效率η=0.85, 多组输出电压值V0, 输出功率Pout=50W, 开关管导通压降Vds=10V。因为变压器要求有八路输出, 所以选择窗口长宽比例较大的EI磁芯, 方便绕组绕制。根据功率要求选取PC40材质的EI40磁芯, 磁芯窗口面积Ae=148mm2, 骨架窗口面积Aw=110mm2, 它最大能提供80W的功率输出, 满足设计需求。 (2) 反射输出电压Vor 对于TOPSwitch-GX芯片, 反射输出电压Vor取135V时输出功率最大, 单路输出时Vor取120V, 多路输出时Vor取100V。这样取值可以提高交叉稳压精度, 也可以使效率达到最优。设计实例中需要变压器能够提供八路输出, 因此取Vor=100V。 (3) 变压器工作模式的确定 反激式变换器有两种工作模式:电流连续模式 (CCM) 和电流断续模式 (DCM) , 工作在什么模式下由初级电感和负载电流决定。CCM相对于DCM可以获得更高的效率, 因此设计时采用CCM模式, 它的初次级电流波形如图2所示。定义电流波形参数, Ir为初级纹波电流, Ip为初级峰值电流。当Krp1时, 变压器工作在CCM模式;Krp=1时, 变压器工作在DCM模式。实例中设定Krp=0.6, 开关电源工作在CCM模式。 (4) 最大占空比Dmax , Vds为TOPSwitch-GX系列芯片漏极与源极间的通态电压, 取10V。计算得Dmax=0.35。 (5) 初级峰值电流Ip 由图2 (a) 根据电流平均值Iave的定义有: (6) 初级有效值电流Irms 由图2 (a) 根据电流有效值的定义有: 一般计算时, 开关电源的损耗全部分配在次级侧。为了计算的Lp值更精确引入损耗分配因子Z。Z=1所有的损耗都在次级侧, Z=0所有的损耗都在初级侧。引入Z之后的效率ηapos;=z(1-ηη)+η, 在此处Z=0.5。 首先∵Vinmin×Dmax×Ts=Lp×Ip (8) 初级绕线匝数Np和初级绕线导体直径Dp 初级绕组使用双层绝缘线进行绕制, Np和Dp的取值要满足最大磁通密度Bm、磁芯气隙长度Lg、初级绕组电流密度CMAp和峰值磁通密度Bp的限定范围, 同时要考虑趋肤效应对导体直径的限制: 1) 最大磁通密度Bm, 2000≤Bm≤3000, 单位为高斯。下式中T表示匝数。 2) 磁芯气隙长度Lg, 要求Lg≥0.1, 单位为毫米。 当Np的取值在36和54之间时, Lg的取值范围为0.142mm≤Lg≤0.368mm, 满足要求。 3) 初级绕组电流密度CMAp, 200≤CMAp≤500, 单位为圆·密耳/安培。 4) 初级绕线导体直径Dp, 为了减低趋肤效应的影响, 导体直径大小满足下面的公式。 5) 峰值磁通密度Bp, 为了避免变压器在开机和输出过载时磁芯出现饱和, 要求Bp≤4200, 单位为高斯。, 实例选用的TOPSwitch-GX系列芯片的外部限流最大值为Ilimit (max)=1.994A。 根据上面的限定范围, 进行迭代计算, 取Np=48T, Dp=0.35mm时, 满足条件。因为设计的变压器功率较大, 为了降