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电气绝缘测试技术 1.绝缘电阻:施加于绝缘体上两导体之间的直流电压与流过绝缘体的泄露电流之比 2.体电阻:施加的直流电压与流过绝缘体内部的电流之比。 3.表面电阻:施加的直流电压与流过绝缘体表面的电流之比 4.影响绝缘电阻的因素有那些,… 温度升高绝缘电阻减小(2)湿度 温度加大 绝缘电阻减小(3)电场强度:(1)温度 当在低场强作用下，电阻率肉几乎与电场强度无关，当在高场强电场作用下，电场强度E增加，电阻率肉下降(4)辐射的影响 许多材料在强光或X射线r射线等辐照下，电阻率下降 5.利用高阻计测量绝缘电阻时如何消除漏电流的影响, 要求输入阻抗RiRN(Ri比RN大100倍以上)Ri-10^14 RN-10^12 6.进行绝缘材料介电性能测试时，电极材料选择的基本原则是什么, (1)电极材料应是良导体，且与试样能紧密接触(2)电极与试样不能相互作用耐腐蚀在高温下不能引起试样的变化(3)电极制作方便，使用安全 绝缘材料测试前需正常化处理，其目的是什么,正常化处理的条件有那些, 目的:为啦消除由于试样之前所经历的环境条件不同而造成的测试结果的偏差。 条件:1)温度23+_2`C2)湿度50%+_5%3)气压一个标准大气压4)时间24h 利用之电极测量体电阻和面电阻时，如何消除剩余电荷对测量的影响, 测量完体积电阻后要充分放电后，才能测量表面电阻;或先测量表面电阻再测体电阻。 7.什么是正接电桥,反接电桥,指出正接反接的区别,并说明优点应用场合, 正接电桥:电桥的接地端为低阻抗桥臂的一端 反接电桥:电桥的接地端为高阻抗桥臂的一端 区别:接地端不同 优点:对于在工作场地已经固定的试品可以测量 应用场合:试品一端必须接地 8.利用高压西林电桥测量绝缘材料?和tans时，如何消除分布电容及其外来电场的影响 分布电容:元件之间的分布电容——屏蔽接地，元件对地的分布电容——使接地点B不接点，检流计两个端点，C点和D点，在电桥平衡时都0电位。 外电场的影响——采用屏蔽方式解决 高压西林电桥的灵敏度与哪些因素有关, 1) 平衡指示器的阻抗下降，灵敏度上升 2) 试验电压的大小上升 3) 标准电容器电容的大小上升 4) 待测式样电容的大小上升 5) 频率上升 9.利用西林电桥测量?和tans时，为提高测量灵敏度可采取哪些措施,如何消除强电场和强磁场的干扰, 1)屏蔽法:将干扰源与被测物体用金属屏隔开。(只能减弱，不能安全消除) 2)移相法:改变电源相位，使Ii方向相同或相反，消除tansx测量误差。 3)倒相法:电源正反相下进行Cx与tansx的两次测量 Cx=C1tans1+C2tans2/C1+C‘ (2)外磁场的干扰 1.采用磁屏蔽。2.将检流计接线改变，实现正反两次测量Cx=Cx’Cx’’/Cx’+Cx’’ Tans=tansx’+tansx’’/‘ 高压下测量tans和e有哪些方法, 谐振法测量tans和e:1.谐振法测量电容。2.变Q值法测量tans。3.变电纳法测量tans 如何在高压西林电桥上实现精密高压西林电桥, 1. 减小标准电容器的损耗。 2. 减小杂散电容的影响1)辅助桥壁法。2)辅助电源法。3)自动跟踪电桥发 3. 减小残余电感及零电容的影响，在R4的中点与屏蔽线之间接入一个可变电容 Cx 什么是局部放电, 绝缘中存在缺陷，电场局部集中，导致局部区域发电放电，而没有贯穿施加电压的导体之间 影响局放因素, 1( 电压幅值影响，上升 2( 电压波形与频率(尖顶波上升，平顶波上升，高次谐波上升) 3( 电压作用时间 4( 环境条件A:湿度上升改善电场分布下降B:温度上升—P上升 下降C.大 气压力。上升 简述局放原因，并分析局放对绝缘的危害, 局部放电集中:复合材料1气体——固体绝缘介质:气泡2液体——固体绝缘介质:不同绝缘材料结合处 导体表面的毛刺。导体尖端，导线直径大小等。 危害:局放会逐渐腐蚀，损坏绝缘材料，使放电局域不断扩大，最后导致整个绝缘体击穿。 局放的各种现象:电气测量法，非电气测量法，并说明其优缺点 1. 局放的过程，除了伴随电荷的转移和电能的损耗之外，同时会产生声波，发 光，发热以及出现新的生成物等等 2. 电气测量法:1)脉冲电流法:放电处会产生电荷交换，在一个与之相连的回 路会产生脉冲电流2)无线电干扰电压法:放电时会产生电磁波辐射3)电桥 法:放电时会有电能损耗 非电气测量法:1)声测法:局放会产生声波2)光测法3)色谱分析法 非电气测量法比较电气测量法，测量中不受电气的干扰，但它的灵敏度很低，不能用视在电荷来定量 表征局放的参数, 1， 真实放电量q，2视在放电量Q。3放电能量W。4放电相位 利用脉冲电流法测局放时检