电子行业新型存储，算力之光.docx

客观审视以上技术的发展进程，虽然工艺不成熟带来的良率成本等问题依然存在，我们看好在下游需求的刺激下，产业链协同攻克技术难点带来更优性价比的产品落地，市场空间有望持续突破。 风险提示：下游需求持续疲弱；产业进度不及预期；市场竞争加剧。 正文目录 TOC \o 1-2 \h \z \u 存储发展面临瓶颈，新型存储应运而生 7 发展瓶颈之一：“存储墙”问题日益严重 7 发展瓶颈之二：传统存储技术升级放缓 10 新型存储：HBM、存算一体需求迫切，PCM 有望成未来之星 12 HBM：算力带动需求井喷，技术迭代加速 12 相变存储器 PCM：3D PCM 数据中心需求迫切，新存科技产业化在即 26 存算一体：国内外布局路径差异化，产业临近大规模量产前夕 33 磁性存储器 MRAM：取代 SRAM 缓存未来可期 38 阻变存储器 RRAM：eFlash 替代正当时 40 铁电存储器 FRAM：有望替代 EEPROM 43 风险提示 45 图表目录 图表 1: 冯诺依曼计算架构 7 图表 2: 常见的存储系统架构及存储墙 7 图表 3: 算力 VS.存储性能提升 7 图表 4: 冯诺依曼架构 VS.存算一体架构 8 图表 5: 存储器分类 9 图表 6: 主流存储技术 VS.新型存储技术 9 图表 7: 全球半导体及存储市场规模 10 图表 8: 全球存储市场结构（2021 年） 10 图表 9: SRAM 缩放进入极限 11 图表 10: NAND 堆叠层数提升放缓 11 图表 11: 全球新型存储市场规模（亿美元） 11 图表 12: HBM 结构剖面图 12 图表 13: HBM 实物剖面结构 12 图表 14: 四代 HBM 规格比较（以 SK 海力士产品为主） 12 图表 15: 历代 HBM 产品发布及量产时间线 13 图表 16: 英伟达 GH200 GPU 首发 HBM3E 13 图表 17: HBM3E 部分参数对比 13 图表 18: HBM 单片封装性能较 GDDR5 优势显著 14 图表 19: HBM 相同功耗性能较 GDDR5 提升超 3 倍 14 图表 20: 相同容量下 HBM 节省大量面积 14 图表 21: 存储功耗限制整体性能表现 15 图表 22: HBM 与 GDDR 结构对比 15 图表 23: TSV 工艺带来尺寸、功耗及带宽优势 15 图表 24: 英伟达 GPU 内存带宽不断提升 16 图表 25: AMD Instinct MI300X 16 图表 26: 卷积运算流程 16 图表 27: 推理过程万亿参数模型带宽限制 16 图表 28: 当前主流的 AI 推理产品多数仍采用 GDDR6 17 图表 29: Tesla Dojo 节点微架构 17 图表 30: 当前部分搭载 HBM 的产品 18 图表 31: AMD Radeon R9 Fury X（主芯片旁边四颗 HBM） 18 图表 32: Xeon Max 搭配HBM 功耗对比显著降低 18 图表 33: 首款搭配 HBM 的 x86 CPU 18 图表 34: 海力士服务器内存解决方案 19 图表 35: 大模型终端设备应用的理论带宽需求 20 图表 36: AI 模型参数增长高于内存带宽升级 20 图表 37: 不同异构集成方案对比 20 图表 38: CoWoS-S 为 TSMC 当前 HBM 封装的主要方案 20 图表 39: CoWos 季度产能份额预测 21 图表 40: HBM 各产品份额变动 21 图表 41: 全球 HBM 需求量（Million，GB） 22 图表 42: 全球 HBM 市场规模（亿美元） 22 图表 43: HBM 容量及价格测算 22 图表 44: HBM 市场规模变动预估 22 图表 45: MR-MUF 处理流程 23 图表 46: MR-MUF 对比 TC-NCF 下降 14℃.......................................................... 23 图表 47: LMC 与晶圆热收缩差异造成翘曲问题 .................................................... 23 图表 48: EMC 不同对齐方式的空气流动 .......................................................... 23 图表 49: EMC 材料及产品 ...................................................................... 24 图表 50: SK 海力士最新封装技