二维单晶失配度的简化模型研究.docxVIP

二维单晶失配度的简化模型研究 由于高分辨率损失（以下简称损失），即铬的误充率，是描述衬底和延伸膜分辨率匹配的参量。晶格失配和热膨胀系数失配不同程度地影响晶体的外延生长,在外延层中产生大量缺陷,甚至无法生长单晶,影响器件的性能和寿命。对晶体材料的失配度研究也就成为人们最为关心的热点之一。然而,各种文献并没有采用统一的失配度定义,导致对于同样的衬底和外延层却有不同的失配度。例如,GaN在蓝宝石衬底上的失配度有16%,14%,以及15%等不同说法。因此,了解失配度的定义,掌握其计算方法,在研究工作中显得非常重要。 1 外延膜的晶体结构及衬底的失配度 半导体外延膜与衬底间的失配度有三种定义。设无应力时衬底的晶格常数为as,外延薄膜的晶格常数为ae,晶格失配度为δ, 定义1δ1=as-aeae1δ1=as?aeae 定义2δ2=as-aeas2δ2=as?aeas 定义3δ3=2|as-ae|as+ae3δ3=2|as?ae|as+ae 定义1的分母是外延膜的晶格常数,这是许多文献采用的定义。也有不少文献采用定义2,用衬底的晶格常数做分母。定义3的分母既不是衬底,也不是外延膜,而是两者的平均晶格常数,这是求半导体异质结的失配度定义,有些文献也将它用于一般的外延膜和衬底间。这样,同样的外延膜和衬底就有三个不同的失配度。对六方GaN在六方蓝宝石衬底上的失配度分别用这三个定义计算,便得到16%,13.8%,15%的结果。用定义1和定义2计算的结果相差较大时,有的文献便采用较小的值。 此外,材料的晶格常数随材料本身的缺陷和掺杂、衬底的选择、生长工艺不同而不同,不同的文献常有不同的实验值,但这些对失配度的影响不大,主要还是采用不同的定义带来的失配度大小的差别。一般认为,|δ|5%为完全共格,|δ|=5%～25%为半共格界面,|δ|25%完全失去匹配能力。 2 由于色散补偿的计算 2.1 金刚石晶体结构 绝大部分半导体材料具有金刚石结构、闪锌矿结构(β相)或纤锌矿(α相)结构。金刚石和闪锌矿结构是由两套面心立方结构沿对角线方向平移1/4对角线长套构而成的,纤锌矿结构则是由两套六方密堆积结构沿C轴平移5/8C套构而成的。结构虽然复杂,但是失配度只涉及生长面上衬底和外延膜的两个二维晶格面,因此为简化,暂不考虑它们的体结构。金刚石与闪锌矿结构的(111)面和纤锌矿结构的(0001)面或(0002)面原子排列完全一样,最小的二维晶格都是正三角形,我们不妨称其为正三角形晶格,而金刚石与闪锌矿结构的(100)面最小二维晶格都是正方形,我们称其为正方形晶格,如图1所示。此外,还有正交晶系和正方晶系的长方形晶格等。 设晶格常数为a,正三角形晶格的原子列原子排列周期如图2,相应的垂直方向的原子列原子排列周期有√3a?3a?2√3a等。同理,正方形晶格垂直方向的原子列原子排列周期有a、√2a/2、√2a,如图3。 2.2 晶面匹配和失配度 绝大多数情况下,外延生长六方(立方)晶体时常采用体结构相同的六方(立方)晶体,这是因为生长面上的二维晶格都是正三角形(正方形)时晶格容易匹配。外延生长六方晶体还可选择立方晶体的(111)面,也是这个原因。衬底和外延层接触面的二维晶格结构相同时,某一晶向的失配度和相应的垂直方向的失配度相同,即晶格匹配相同,只要这一方向晶格匹配,相应的垂直方向就自然匹配。一般地,各文献上的失配度基本上是指衬底和外延膜二维晶格相同时的失配度。 计算失配度的方法是:①晶面匹配。最常见的是:(0001)hex//(0001)hex(两正三角形晶格匹配),(100)fcc//(100)fcc(两正方形晶格匹配);其次是:(0001)hex//(111)fcc(两正三角形晶格匹配);最后是:三角形晶格,而另一个是正方形或长方形晶格,此时需两相互垂直方向均匹配。②晶向匹配。晶格常数相差一般不超过25%时,直接确定匹配晶向,如?11ˉ20?//?11ˉ20???100?//?100???11ˉ20?//?110?。否则,晶向匹配使晶格30°旋转(正三角形晶格间匹配)或45°旋转(正方形晶格间匹配),即?11ˉ20?//?1ˉ100???100?//?110?,这样有助于减小失配度,降低界面能。③计算失配度。一般情况下,直接根据晶格常数计算;出现原子列旋转时,其中一晶格常数须改成能和另一原子排列周期相匹配的原子排列周期。对于性质不同的晶面匹配,两垂直方向的失配度不同。 例如,GaN属六方结构时,原子排列周期可为a?√3a?2a,即3.185,5.517,6.370;而为立方结构时,原子排列周期可为√2a/2?a?√2a,即3.21,4.54,6.42。它和部分衬底的失配度可列表计算如表1:(其中未注明文献来源的为作者的计算值) 需要指出的是,失配度必须在已知外延层和