《微电子工艺》第8章 物理气相淀积.pptVIP

高、超高真空度的获得 在微电子加工领域，高真空泵分为两类： （1）转移动量给气态分子而抽吸气体 （2）俘获气体分子 抽吸腐蚀性、有毒、大流量气体-------- 扩散泵、分子泵 抽吸通入的小流量气体或工艺前抽吸腔室------- 低温泵 扩散泵 靠高速蒸汽射流来携带气体以达到抽气的目的 适用于高真空,但入口真空也要求较高,一般前要接机械泵 压缩比可达108 油扩散泵主要由 泵体、扩散喷嘴、 蒸气导管、油锅、 加热器、扩散器、 冷却系统和喷射 喷嘴等部分组成。 涡轮分子泵 1958年，联邦德国的W.贝克首次提出有实用价值的涡轮分子泵 利用高速旋转的动叶轮将动量传给气体分子，使气体产生定向流动而抽气的真空泵。 动叶轮外缘的线速度高达气体分子热运动的速度（一般为150～400米／秒）。具有这样的高速度才能使气体分子与动叶片相碰撞后改变随机散射的特性而作定向运动。 压缩比可达109  涡轮分子泵主要由 泵体、带叶片的转子 （即动叶轮）、静叶 轮和驱动系统等组成。 低温泵Cryopump（cold pump | cryogenic pump | cryovacuum pump | low temperature pump） 利用低温表面冷凝气体真空泵，又称冷凝泵。 抽气原理 　在低温泵内设有由液氦或制冷机冷却到极低温度的冷板。它使气体凝结，并保持凝结物的蒸汽压力低于泵的极限压力，从而达到抽气作用。 8.2.3 真空度的测量 电容式压力计 热偶规 电离规 复合真空计 B－A规(热阴极电离规) 蒸镀过程 源受热蒸发； 气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运； 被蒸发的原子或分子在衬底表面的淀积：凝结→成核→ 生长→成膜 8.3 真空蒸镀 设备简单，操作容易 所制备的薄膜纯度较高，厚度控制较精确，成膜速率快 生长机理简单 真空蒸镀法主要缺点 所形成的薄膜与衬底附着力较小 工艺重复性不够理想 台阶覆盖能力差 已为溅射法和化学气相淀积法所代替 真空蒸镀法优点 蒸镀过程基本参数 汽化热ΔH 被蒸发的原子或分子需克服固相或液相的原子间束缚，而蒸发到真空中并形成具有一定动能的气相原子或分子所需的能量。 常用金属材料汽化热 /原子（分子） 在蒸发温度下的动能 /原子（分子） 什么是饱和蒸汽压 蒸汽压指在液（固）表面存在该物质的蒸汽，这蒸汽对液（固）表面产生的压强就是该液体的蒸汽压。 平衡(饱和)蒸汽压指一定的温度下，与同种物质的液态(或固态)处于平衡状态的蒸汽所产生的压强叫饱和蒸汽压。 蒸发温度 在平衡蒸汽压为1.333Pa时所对应的物质温度 蒸汽压 蒸发速率 蒸发速率和温度、蒸发面积、表面的清洁程度、加热方式有关，工程上将源物质、蒸发温度和蒸发速率之间关系绘成为诺漠图。 分子平均自由程 粒子两次碰撞之间飞行的平均距离 真空蒸镀－－气相输运过程基本参数 真空蒸镀－－成膜过程基本参数 8.3.2设备与方法 设备由三部分组成： 真空室 抽气系统 测试部分 蒸发方法： 单组份、多组份蒸发； 衬底是否加热，冷蒸或热蒸； 按加热器分类。 8.3.2蒸镀设备主要采用的加热器类型及性能 电阻加热蒸镀 电子束(EB)蒸镀 激光蒸镀 高频感应蒸镀 电阻加热器 出现最早，工艺简单；但有加热器污染，薄膜台阶覆盖差，难镀高熔点金属问题。 对电阻加热材料要求：熔点要高；饱和蒸气压要低；化学稳定性好；被蒸发材料与加热材料间应有润湿性。 电子束(EB)加热 EB蒸镀基于电子在电场作用下，获得动能轰击处于阳极的蒸发材料，使其加热汽化。 EB蒸镀相对于电阻加热蒸镀杂质少，去除了加热器带来的玷污；可蒸发高熔点金属；热效率高； EB蒸镀薄膜有辐射损伤，即薄膜电子由高激发态回到基态产生的；也有设备复杂，价格昂贵的缺点。 电子束加热器 激光蒸镀 利用高功率的连续或脉冲激光束作为能源对蒸发材料进行加热，称为激光束加热蒸发法。 激光束加热的特点是加热温度高，可避免坩埚的污染，材料蒸发速率高，蒸发过程容易控制。 激光加热法特别适应于蒸发成份比较复杂的合金或化合物材料。 高频感应蒸发 高频感应蒸发源是通过高频感应对装有蒸发源的坩埚进行加热，使蒸发材料在高频电磁场的感应下产生强大的涡流损失和磁滞损失(对铁磁体)，致使蒸发材料升温,直至汽化蒸发。 多组分薄膜的蒸镀方法 (a)单源蒸发法 (b)多源同时蒸发法 8.3.3 蒸镀工艺 8.3.2蒸镀薄膜的质量及控制 真空度 台阶覆盖特性 蒸发速率 蒸镀为什么要求高真空度 蒸发的原子（或分子）的输运应为直线，真空度过低，输运过程被气体分子多次碰撞散射，方向改变