《微电子工艺》第4章 氧化.pptVIP

* 4.2.3硅的Deal－Grove热氧化模型 Deal－Grove模型 （线性－抛物线模型，linear-parabolic model) —可以用固体理论解释的一维平面生长氧化硅的模型。 适用于： 氧化温度700～1300 oC； 局部压强0.1~25个大气压； 氧化层厚度为20～2000 nm的水汽和干法氧化 * 气体中扩散 固体中扩散 SiO2 形成 SiO2 Si衬底 气流滞流层 氧化剂流动方向 (如 O2或 H2O） （1）氧化剂输运 （2）固相扩散 （3）化学反应 （4）反应的副产物离开界面 Deal－Grove模型 * 热氧化动力学（迪尔-格罗夫模型） 氧化剂输运---气体输运流密度用F1表示 F1=hg(Cg-Cs) 固相扩散： 化学反应： 热氧化是在氧化剂气氛下进行：O2流密度不变，即准平衡态稳定生长： F1=F2=F3 pg ps F1 F2 F3 SiO2 Si -δ 0 x Cg Cs Co Ci 主流气体 粘滞层 O2 x0 * 求解 --SiO2中的氧化剂浓度，应与主气流区中氧化剂分压成正比， --气相质量输运系数 --化学反应常数 * 4.2.4 热氧化生长速率 氧化层生长速率可为界面流量除以单位体积SiO2的氧分子数 假设氧化前硅片表面上存在的初始氧化层厚度为 求解出氧化层生长厚度与生长时间之间的关系式为 其中 解为 * 两种极限情况 氧化时间长，扩散控制阶段: 抛物线速率常数 线性速率常数 扩散控制：DSiO2→ 0， Ci → 0， Co → C * 反应控制：ks→ 0， Ci→ Co= C */（1+ks/h） 气体 C0 SiO2 Si ks?0 DSiO2?0 C x Ci 氧化时间很短，反应控制阶段: * 4.2.5影响氧化速率的各种因素 实测值 在两种极限情况下：长时间氧化或氧化时间很短，实测值和计算值吻合。 * 影响氧化速率因素 温度 影响很大， H, h,D,ks都与温度有关。 气体分压 提高反应器内氧气或水汽的分压能提高线性氧化速率。有高压氧化和低压氧化技术。 硅晶向 对氧化速率略有不同，（111）晶向速率最快，（100）晶向速率最慢。 掺杂 掺杂浓度越高氧化速率越快，将此现象称为增强氧化。 * 温度对氧化速率的影响 * 气体分压对氧化速率的影响 氧化剂分压Pg是通过C*对B产生影响：B∝Pg * 硅衬底的晶向对氧化速率的影响 不同晶向的衬底单晶硅由于表面悬挂键密度不同，生长速率也呈现各向异性。 空间位阻 （Steric Hindrance） * 掺杂情况对氧化速率的影响 线性和抛物型氧化速率常数对存在于氧化剂中或存在于硅衬底中的杂质敏感。 磷在较低温度增强氧化明显，而硼在低温时增强氧化不明显，高温明显。钠、水汽、氯都能显著提高氧化速率。 * 掺杂对氧化速率的影响 900 ?C时干氧氧化速率随表面磷浓度的变化 n＋：反应速率限制，B/A起主要作用，氧化速率取决于硅表面的掺杂浓度 * 卤族元素掺入对氧化速率影响 在氧化气氛中加入适量的卤族元素会改善氧化膜及其下面硅的特性。 氧化膜特性的改善包括钠离子浓度减少、介质击穿强度增加、界面态密度减少。 实践中应用较多的卤族元素是氯，在Si-SiO2界面上或界面附近，氯能使杂质转变成容易挥发的氯化物从而起到吸杂的效果，另外也能看到氧化诱生旋涡缺陷减少。 * 掺氯对氧化速率的影响 N型硅（100）和（111）晶面氧化速率常数与HCl浓度之间关系 （900℃，1000℃，1100℃） * 水汽的存在对氧化速率的影响 在干氧氧化的气氛中，只要存在极小量的水汽，就会对氧化速率产生重要影响。 * 4.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备 D-G模型对30nm以下的干氧氧化不准。 自然氧化物不是连续生长而是阶段的生长。轻掺杂0.8nm;重掺杂1.3nm。 初始氧化阶段的氧化机制仍是日前研究热点。 * 4.4热氧化过程中杂质的再分布 由四方面因素决定： 杂质的分凝现象； 杂质在SiO2表面逸出； 杂质在SiO2、Si中的扩散系数； 界面移动（氧化速率） 分凝 逸出 扩散 界面移动 * SiO2/Si界面杂质分凝现象 k1，在SiO2/Si界面杂质向SiO2内扩散，Si表面杂质浓度低，耗竭。B kB= 0.3，Al kAl=0.1。 k1，在SiO2/Si界面杂质向Si内扩散，Si面杂质浓度高，堆积。P kp= 10， As kAs=10，Ga kGa=20。 分凝现象指杂质在SiO2和Si中平衡浓度不同的现象。 分凝系数是衡量分凝效应强弱的参数： 分凝现象指杂质在SiO2和Si中平衡浓度不同的现象。