《微电子工艺》第5章 扩散.pptVIP

一些杂质在硅〈111〉面中的扩散系数 5.3杂质的扩散掺杂 扩散工艺是要将具有电活性的杂质，在一定温度，以一定速率扩散到衬底硅的特定位置，得到所需的掺杂浓度以及掺杂类型。 两种方式：恒定表面源扩散和限定表面源扩散 扩散工艺重要的工艺参数包括： ①杂质的分布 ②表面浓度 ③结深 ④掺入杂质总量 恒定表面源扩散 恒定表面源是指在扩散过程中，硅片表面的杂质浓度始终是保持不变的。 恒定表面源扩散指硅一直处于杂质氛围中，硅片表面达到了该扩散温度的固溶度Cs。 解扩散方程： 初始条件为：C(x，0)=0，x0 边界条件为：C(0，t)=Cs C(∞，t)= 0 恒定表面源扩散杂质分布情况 x CB Cs xj1 xj2 xj3 C(x,t) t1 t2 t3 0 t3t2t1 恒定表面源扩散 erfc称为余误差函数。 恒定源扩散杂质浓度服从余误差分布，延长扩散时间： ①表面杂质浓度不变； ②结深增加； ③扩入杂质总量增加； ④杂质浓度梯度减小。 结深 杂质数量 杂质浓度梯度 有限表面源扩散 指杂质源在扩散前积累于硅片表面薄层δ内， Q为单位面积杂质总量，解扩散方程： 边界条件:C(x,0)=Q/δ , 0xδ C(∞,t)=0 初始条件：C(x,0)=0, x0 有限表面源扩散杂质分布情况 X Xj1 Xj2 Xj3 Cs Cs’ Cs” t1 t2 t3 C(x,t) CB 0δ t3t2t1 有限表面源扩散 杂质浓度梯度 杂质表面浓度 结深 有限源扩散杂质浓度是一种高斯函数分布。 延长扩散时间(提高扩散温度T )： ①杂质表面浓度迅速减小；②杂质总量不变； ③结深增加； ④杂质浓度梯度减小。 一步工艺 是惰性气氛下的恒定源扩散，杂质分布服从余误差函数； 两步工艺 分为预淀积（预扩散）、再分布（主扩散）两步。 预淀积是惰性气氛下的恒定源扩散，目的是在扩散窗口硅表层扩入总量Q一定的杂质。 再分布是氧气氛或惰性气氛下的有限源扩散，将窗口杂质再进一步向片内扩散，目的是使杂质在硅中具有一定的表面浓度Cs、分布C（x）、且达到一定的结深xj，有时还需生长氧化层。 实际扩散工艺 两步扩散 预淀积（预扩散） 低温，短时，恒定表面源扩散—杂质扩散很浅，杂质数量可控 主扩散（再分布） 高温，扩散同时伴随氧化—控制表面浓度和扩散深度 两步扩散之后的杂质最终分布形式，为两个扩散过程结果的累加。 D1t1D2t2预扩散起决定作用，杂质按余误差函数形式分布 D1t1 D2t2主扩散起决定作用，杂质按高斯函数形式分布 5.4 影响杂质分布的其他因素 实验发现硅中掺杂原子的分布，有Fick定律不能解释地方： 发射区推进效应 氧化增强扩散 5.4.1硅中点缺陷对杂质扩散的影响 空位 V0 、V+、 V- 、 V2- 自间隙 I、 替位杂质 A，间隙杂质Ai 间隙原子团 AI；AV；(AI)-… 扩散系数与杂质浓度的关系 硅衬底的掺杂浓度对杂质的扩散系数有影响，衬底掺杂浓度CB比扩散温度下本征载流子浓度Ci高时(CBCi ≈ 1019/cm3) ，将使扩散系数显著提高。 本征扩散系数Di： 非本征扩散系数De ： 间隙原子（团） a）硅原子踢出晶格位置上的杂质原子 b）踢出与间隙机制扩散 5.4.2 氧化增强扩散 (OED) 硼在氧化气氛中的扩散存在明显增强现象，磷、砷也有此现象。 原因是氧化诱生堆垛层错产生大量自填隙Si，间隙-替位式扩散中的“踢出”机制提高了扩散系数。 氧化层 B有限源扩散 氮化物 p-Si n-Si 氮化物 n-Si 氧化层 掺B CB1019 O2 I+B IB 氧化阻滞扩散 锑扩散是以替位方式进行，氧化堆垛层错带来的自填隙硅填充了空位，减少了空位浓度。锑在氧化气氛中的扩散却被阻滞。 氮化物 n-Si p-Si 氧化层 氮化物 p-Si 氧化层 Sb有限源扩散 CB1019 掺Sb O2 5.4.3发射区推进效应 也称为发射区陷落效应。B扩散的增强是由于磷与空位相互作用形成的PV对，发生分解所带来的复合效应。 xbc δ e b n p n 掺B P扩散 掺P 5.4.4横向扩散效应 横向扩散的线度是纵向扩散的0.75-0.85倍，浓度高时是纵向的0.65-0.7倍 5.4.5 场助扩散效应 杂质(施主或受主杂质)在硅中扩散时，是以电离施主或受主和电子或空穴各自进行扩散运动的。 在硅片内形成一内建电场E，它的方向正好起着帮助运动较慢的杂质离子加速扩散的作用，这种现象称为场助扩散效应。 衬底其它影响因素 与衬底材料、晶向及晶格完整性有关