《微电子工艺》第6章 离子注入.pptVIP

6.5.5 二次缺陷 退火后往往会留下所谓二次缺陷。 二次缺陷可以影响载流子的迁移率、少数载流子寿命及退火后注入原子在晶体中的位置等，因而直接影响半导体器件的特性。 6.5.6 退火方式及快速热处理技术 （Rapid thermal processing, RTP）是将晶片快速加热到设定温度，进行短时间快速热处理的方法，热处理时间10-3-102s。过去几年间，RTP已逐渐成为微电子产品生产中必不可少的一项工艺，用于快速热氧化（RTO）、离子注入后的退火、金属硅化物的形成和快速热化学薄膜淀积。 RTP特点 RTP系统采用辐射热源对单片加热，温度测控由高温计完成； RTP工艺使用范围很广，控温在200~1300℃之间，升、降温速度为20~250℃/秒，还可以控制工艺气体，可完成复杂的多阶段热处理工艺。 用RTP取代常规热处理工艺避免了Si中杂质再分布，还缩短工艺周期。 硅及杂质稳态和瞬态激活能 杂质 稳态扩散 eV 瞬态扩散 eV Si 5.5 B 3.5 1.8 As 3.4 1.8 P 6.3 2.2 。高功率激光束辐照 。电子束 。高强度的光照 。其它辐射 RTP主要优点是掺杂的再分布大大降低， 对制备浅结器件特别有利 快速热退火， Rapid Thermal Processing（RTP） RTP系统 利用多排卤化钨灯对Si片进行加热，Si片旋转； 自动载片控制和精确的温度控制； 工艺的全程控制，实时图形曲线显示，实时工艺参数采集、显示和分析。 AG4100 EOR damage Courtesy Ann-Chatrin Lindberg (March 2002). 6.3.1 纵向分布 注入离子在靶内受到的碰撞是随机的，所以杂质分布也是按几率分布的。 离子进入非晶层（穿入距离）的分布接近高斯分布。 ΔRp：投影射程的标准偏差 ΔR⊥：横向离散 6.3注入离子在靶中的分布 能量损失与射程R 设注入离子的初始能量为 ，从进入靶面到静止时所经过的总距离 与投影射程 和投影标准偏差 之间关系 b ——E 和R 的缓慢变化函数 M1M2; b=1/3 纵向分布 离子注入的实际浓度分布用高斯函数表示 高斯分布只在峰值附近与实际分布符合较好 单位面积注入的离子总数 6.3.2横向效应 横向效应指的是注入离子在垂直于入射方向平面内的分布情况 由LSS理论计算得到的硼、磷和砷入射到无定形硅靶中ΔR┴与入射能量的关系如图所示 横向分布 35 keV As注入 120 keV As注入 横向效应影响MOS晶体管的有效沟道长度 110 111 100 倾斜旋转硅片后的无序方向 1.8? 沟道（渗透）效应(Channeling effect ):衬底为单晶材料，离子束准确的沿着晶格方向注入，几乎不会受到原子核的散射，其纵向分布峰值与高斯分布不同。一部分离子穿过较大距离。 6.3.3单晶靶中的沟道效应 临界角 C Y 硅中常用杂质发生沟道效应的临界角 （对每种杂质，上面曲线表示〈111〉衬底， 下面对应〈100〉衬底） 浓度分布 由于沟道效应的存在，在晶体中注入将偏离LSS理论在非晶体中的高斯分布，浓度分布中出现一个相当长的“尾巴” 产生非晶化的剂量 沿110的沟道效应 表面非晶层对于沟道效应的作用 Boron implant into SiO2 Boron implant into Si 减少沟道效应的措施 对大的离子，沿沟道轴向(110)偏离7－10o 用Si，Ge，F，Ar等离子注入使表面预非晶化，形成非晶层（Pre-amorphization） 增加注入剂量（晶格损失增加，非晶层形成，沟道离子减少） 表面用SiO2层掩膜 沟道效应的防止方法 （111）硅一般采取偏离晶向7°，平行偏转15°的注入方法 实际上高能离子入射到衬底时，一小部分与表面晶核原子弹性散射，而从衬底表面反射回来，未进入衬底，这叫背散射现象. 6.3.4影响注入离子分布的其它因素 纵向分布 硼比硅原子质量轻得多，硼离子注入就会有较多的大角度散射。被反向散射的硼离子数量也会增多，因而分布在峰值位置与表面一侧的离子数量大于峰值位置的另一侧，不服从严格的高斯分布。 砷等重离子和硼轻离子的分布正好相反。 注入离子的真实分布 真实分布非常复杂，不服从严格的高斯分布 当轻离子硼（B）注入到硅中，会有较多的硼离子受到大角度的散射（背散射），会引起在峰值位置与表面一侧有较多的离子堆积；重离子散射得更深。 锑 晶格损伤：高能离子注入硅片后与靶原子发生一系列碰撞，可能使靶原子发生位移，被位移原子还可能把能量依次传给其它原子，结果产生一系列的空位－间隙原子对及其它类型晶格无序的分布。这种因为离