《微电子工艺》第1、2章 单晶硅.pptVIP

* 面缺陷和体缺陷 面缺陷主要是由于原子堆积排列次序发生错乱，称为堆垛层错，简称层错。 体缺陷是杂质在晶体中沉积形成；晶体中的空隙也是一种体缺陷。 * 缺陷的产生及结团 缺陷是存在应力的标志，微电子工艺过程中能够诱导缺陷的应力主要有三种： 存在大的温度梯度，发生非均匀膨胀，在晶体内形成热塑性应力，诱生位错； 晶体中存在高浓度的替位杂质，而这些杂质和硅原子大小不同，形成内部应力诱生缺陷； 硅晶体表面受到机械外力，如表面划伤、或受到轰击（离子，射线等），外力向晶体中传递，诱生缺陷。 结团作用 高浓度低维缺陷倾向于集聚，形成更高维缺陷，释放能量 * 缺陷的去除 缺陷在器件的有源区（晶体管所在位置）影应响其性能，必须设法使之减少。 单晶生长时的工艺控制； 非本征吸杂，在无源区引入应变或损伤区来吸杂； 本征吸杂，氧是硅片内固有的杂质，硅中氧沉淀，氧有吸杂作用，是一种本征吸杂。 * 1.3 硅中杂质 半导体材料多以掺杂混合物状态出现，杂质有故意掺入的和无意掺入的。 故意掺入Si中的杂质有ⅢA、VA族,金。故意杂质具有电活性，能改变硅晶体的电学特性。 无意掺入Si中的杂质有氧，碳等。 1.45*1010 * Si中杂质类型 间隙式杂质 主要是ⅠA和ⅧA族元素，有：Na、K、Li、H等，它们通常无电活性，在硅中以间隙方式扩散，扩散速率快。 替位式杂质 主要是ⅢA和ⅤA族元素，具有电活性，在硅中有较高的固浓度。以替位方式扩散为主，也存在间隙-替位式扩散，扩散速率慢，称为慢扩散杂质。 间隙—替位式杂质 大多数过渡元素：Au、Fe、Cu、Pt、Ni、Ag等。都以间隙-替位方式扩散，约比替位扩散快五六个数量级，最终位于间隙和替位这两种位置，位于间隙的杂质无电活性，位于替位的杂质具有电活性。 * 1.3.1杂质对Si电学特性的影响 ⅢA、VA族电活性杂质主要有：硼、磷、砷，锑等浅能级杂质 金等杂质在室温时难以电离，多数无电活性，是复合中心，具有降低硅中载流子寿命的作用，是深能级杂质 空穴 硅晶体中硼电离示意图 Bˉ B 束缚电子 自由电子 硅晶体中磷电离示意图 P+ P 施主电离能 受主电离能 * 硅晶体中杂质能级和电离能 * 硅单晶电阻率与掺杂浓度关系曲线 硅的电阻率-掺杂浓度曲线 不同类型杂质对导电能力相互抵消的现象叫杂质补偿。 硅中同时存在磷和硼，若磷的浓度高于硼，那么这就是N型硅。 不过导带中的电子浓度并不等于磷杂质浓度，因为电离的电子首先要填充受主，余下的才能发送到导带。 * 1.3.2 杂质在硅晶体中的溶解度 一种元素B(溶质)引入到另一种元素A(溶剂)晶体中时，在达到一定浓度之前，不会有新相产生，仍保持原A晶体结构，这样的晶体称为固溶体。 一定温度，杂质在晶体中具有最大平衡浓度，这一平衡浓度就称为该杂质B在晶体A中的固溶度。 * 固溶体 固溶体主要可分为两类： 替位式固溶体和间隙式固溶体。 ■ Si中ⅢA、VA族杂质形成替位式有限固溶体。 替位式固溶体溶剂和溶质应满足必要条件： 原子半径相差小于15％，称“有利几何因素” r：Si 1.17, B 0.89, P 1.10 ?； 原子外部电了壳层结构相似； 晶体结构的相似。 * 硅晶体中杂质的固溶度 掺杂浓度可以超过固溶度。 给含杂质原子的硅片加热，再快速冷却，杂质浓度可超出其固溶度的10倍以上。 * 相图知识 相图是用来讨论混合物体系性质的一种图示方法。 相定义为物质存在的一种状态，这一状态是由一组均匀的性质来表征的。 当混合物体系中的各相均处于热力学平衡状态，一般包括一个以上固相的这种状态图就是相图。 相图与大气压也有关，微电子工艺大多是常压工艺，一般只使用常压状态的相图。 * 相图用途 由材料的成分和温度预知平衡相； 材料的成分一定而温度发生变化时其他平衡相变化的规律； 估算平衡相的数量。 预测材料的组织和性能 * 相图的构成：由两条曲线将相图分为三个区。左右两端点分别为组元的熔点。上面的一条曲线称为液相线，液相线之上为液相的单相区，常用L表示；下面的一条曲线称为固相线，固相线之下为固溶体的单相区，常用α表示；两条曲线之间是双相区，标记L+α表示。 二元匀晶相图 * 相图与冷却曲线的关系： 成分一定，在冷却过程中，不同的相热容量不相同，如果系统散热能力一样，温度随时间的变化(冷却)曲线上的斜率将不同，曲线的转折点对应温度就是某些相开始出现或完全小时的温度，利用这一特点，由实测的冷却曲线可以作出相图。 * 两相平衡时的数量分配规律－－杠杆定律 如图，合金x在温度T1将由两相长期并存，这时两相的成分和数量保持不变。过x点作水平线交液相线和固相线于a、c点，经热力学证明a、c点的成分分别为平