《微电子工艺》第1、2章 单晶硅.pptVIP

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* 面缺陷和体缺陷 面缺陷主要是由于原子堆积排列次序发生错乱,称为堆垛层错,简称层错。 体缺陷是杂质在晶体中沉积形成;晶体中的空隙也是一种体缺陷。 * 缺陷的产生及结团 缺陷是存在应力的标志,微电子工艺过程中能够诱导缺陷的应力主要有三种: 存在大的温度梯度,发生非均匀膨胀,在晶体内形成热塑性应力,诱生位错; 晶体中存在高浓度的替位杂质,而这些杂质和硅原子大小不同,形成内部应力诱生缺陷; 硅晶体表面受到机械外力,如表面划伤、或受到轰击(离子,射线等),外力向晶体中传递,诱生缺陷。 结团作用 高浓度低维缺陷倾向于集聚,形成更高维缺陷,释放能量 * 缺陷的去除 缺陷在器件的有源区(晶体管所在位置)影应响其性能,必须设法使之减少。 单晶生长时的工艺控制; 非本征吸杂,在无源区引入应变或损伤区来吸杂; 本征吸杂,氧是硅片内固有的杂质,硅中氧沉淀,氧有吸杂作用,是一种本征吸杂。 * 1.3 硅中杂质 半导体材料多以掺杂混合物状态出现,杂质有故意掺入的和无意掺入的。 故意掺入Si中的杂质有ⅢA、VA族,金。故意杂质具有电活性,能改变硅晶体的电学特性。 无意掺入Si中的杂质有氧,碳等。 1.45*1010 * Si中杂质类型 间隙式杂质 主要是ⅠA和ⅧA族元素,有:Na、K、Li、H等,它们通常无电活性,在硅中以间隙方式扩散,扩散速率快。 替位式杂质 主要是ⅢA和ⅤA族元素,具有电活性,在硅中有较高的固浓度。以替位方式扩散为主,也存在间隙-替位式扩散,扩散速率慢,称为慢扩散杂质。 间隙—替位式杂质 大多数过渡元素:Au、Fe、Cu、Pt、Ni、Ag等。都以间隙-替位方式扩散,约比替位扩散快五六个数量级,最终位于间隙和替位这两种位置,位于间隙的杂质无电活性,位于替位的杂质具有电活性。 * 1.3.1杂质对Si电学特性的影响 ⅢA、VA族电活性杂质主要有:硼、磷、砷,锑等浅能级杂质 金等杂质在室温时难以电离,多数无电活性,是复合中心,具有降低硅中载流子寿命的作用,是深能级杂质 空穴 硅晶体中硼电离示意图 Bˉ B 束缚电子 自由电子 硅晶体中磷电离示意图 P+ P 施主电离能 受主电离能 * 硅晶体中杂质能级和电离能 * 硅单晶电阻率与掺杂浓度关系曲线 硅的电阻率-掺杂浓度曲线 不同类型杂质对导电能力相互抵消的现象叫杂质补偿。 硅中同时存在磷和硼,若磷的浓度高于硼,那么这就是N型硅。 不过导带中的电子浓度并不等于磷杂质浓度,因为电离的电子首先要填充受主,余下的才能发送到导带。 * 1.3.2 杂质在硅晶体中的溶解度 一种元素B(溶质)引入到另一种元素A(溶剂)晶体中时,在达到一定浓度之前,不会有新相产生,仍保持原A晶体结构,这样的晶体称为固溶体。 一定温度,杂质在晶体中具有最大平衡浓度,这一平衡浓度就称为该杂质B在晶体A中的固溶度。 * 固溶体 固溶体主要可分为两类: 替位式固溶体和间隙式固溶体。 ■ Si中ⅢA、VA族杂质形成替位式有限固溶体。 替位式固溶体溶剂和溶质应满足必要条件: 原子半径相差小于15%,称“有利几何因素” r:Si 1.17, B 0.89, P 1.10 ?; 原子外部电了壳层结构相似; 晶体结构的相似。 * 硅晶体中杂质的固溶度 掺杂浓度可以超过固溶度。 给含杂质原子的硅片加热,再快速冷却,杂质浓度可超出其固溶度的10倍以上。 * 相图知识 相图是用来讨论混合物体系性质的一种图示方法。 相定义为物质存在的一种状态,这一状态是由一组均匀的性质来表征的。 当混合物体系中的各相均处于热力学平衡状态,一般包括一个以上固相的这种状态图就是相图。 相图与大气压也有关,微电子工艺大多是常压工艺,一般只使用常压状态的相图。 * 相图用途 由材料的成分和温度预知平衡相; 材料的成分一定而温度发生变化时其他平衡相变化的规律; 估算平衡相的数量。 预测材料的组织和性能 * 相图的构成:由两条曲线将相图分为三个区。左右两端点分别为组元的熔点。上面的一条曲线称为液相线,液相线之上为液相的单相区,常用L表示;下面的一条曲线称为固相线,固相线之下为固溶体的单相区,常用α表示;两条曲线之间是双相区,标记L+α表示。 二元匀晶相图 * 相图与冷却曲线的关系: 成分一定,在冷却过程中,不同的相热容量不相同,如果系统散热能力一样,温度随时间的变化(冷却)曲线上的斜率将不同,曲线的转折点对应温度就是某些相开始出现或完全小时的温度,利用这一特点,由实测的冷却曲线可以作出相图。 * 两相平衡时的数量分配规律--杠杆定律 如图,合金x在温度T1将由两相长期并存,这时两相的成分和数量保持不变。过x点作水平线交液相线和固相线于a、c点,经热力学证明a、c点的成分分别为平

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