《微电子工艺》第4单元 光刻技术.pptVIP

第四单元 光刻技术 * 10.5.2 X射线光刻 以高强度的电子束轰击金属靶材，使其发射X射线，X射线作为曝光光源，λ在 0.2-4nm。 掩膜版：为了X-射线能够透过，掩膜版很薄，对X射线透明的Si、SiN、BN和聚酯薄膜为基片在上面淀积金薄膜，以此作为空白版，金膜能吸收X射线，以电子束制版方法制备掩膜版版。 第四单元 光刻技术 * 10.5.2 X射线光刻 影响分辨率的不是衍射，而是半阴影和几何畸变 第四单元 光刻技术 * 10.5.2 X射线光刻 在电子抗蚀剂中加入铯、铊等，能增加抗蚀剂对X-射线的吸收能力，可以使之作为X-射线抗蚀剂。如PMMA 。 第四单元 光刻技术 * 10.5.2 X射线光刻 同步辐射x射线源，是利用高能电子束在磁场中沿曲线轨道运动时发出的。 同步辐射方向性强，准直性好，可以近似看作平行光源。光源的线度尺寸约为1mm，所以半阴影效应和几何畸变可以忽略。 同步辐射x射线光学系统 第四单元 光刻技术 * 10.5.3 离子束光刻 离子束注入，是利用元素离子本身所具有的化学性质--掺杂效应，通过将高能杂质离子注入到半导体晶体表面，以改变晶体表面的化学性质和物理性质；另一方面则可以利用离子本身具有的能量来实现各种工艺目的。按照离子能量的不同，工艺目的也不同，如离子能量在10keV以下时，离子束常被用来作为离子束刻蚀和离子束外延；当能量在几十至70keV时，则被用作离子束曝光。 第四单元 光刻技术 * 10.5.3 离子束光刻 聚焦离子束系统截面示意图 第四单元 光刻技术 * 10.5.4 新技术展望 1、浸入式光刻技术 45, 32, 22 nm Technology nodes 譬如用水替代空气 全氟聚烷基醚油 第四单元 光刻技术 * 10.5.4 新技术展望 提高193nm ArF浸入式光刻机NA的方案 NA 解决方案 1.37 水+平面镜头+石英光学材料 1.42 第二代浸入液+平面镜头+光学石英材料 1.55 第二代浸入液+弯曲主镜头+光学石英材料 1.65 第三代浸入液+新光学镜头材料+新光刻胶 1.75 第三代浸入液+新光学镜头材料+半场尺寸 1、浸入式光刻技术 第四单元 光刻技术 * 10.5.4 新技术展望 2、纳米压印光刻 现有的主流纳米压印光刻 第四单元 光刻技术 * 10.5.4 新技术展望 3、极紫外光刻（EUV） 极紫外光刻原理图 第四单元 光刻技术 * 10.5.4 新技术展望 4、无掩模光刻(ML2) 光学无掩模光刻示意图 带电粒子无掩模光刻示意图 第四单元 光刻技术 * 10.5.4 新技术展望 4、无掩模光刻(ML2) 光学无掩模光刻示意图 带电粒子无掩模光刻示意图 第四单元 光刻技术 * 10.6 光刻设备 从平面工艺诞生以来，光刻设备可以分为五代。每一代又以那个时期获得CD和分辨率所需的设备类型为代表。这五个精细光刻时代的代表是： 接触式光刻机； 接近式光刻机； 扫描投影光刻机； 分步重复投影光刻机； 步进扫描光刻机。 第四单元 光刻技术 * 10.6.1 接触式光刻机 接触式光刻机系统 第四单元 光刻技术 * 10.6.2 接近式光刻机 接近式光刻机上的边缘衍射和表面反射 第四单元 光刻技术 * 10.6.3 扫描投影光刻机 扫描投影光刻机 第四单元 光刻技术 * 10.2.1 光刻胶的特征量 响应波长 灵敏度，又称光敏度，指最小曝光剂量E0 抗蚀性，指耐酸、碱能力 粘滞性，指流动特性的定量指标 粘附性 ，指与硅、二氧化硅表面结合力的大小 光刻胶的膨胀 微粒数量和金属含量 储存寿命 第四单元 光刻技术 * 10.2.2 光学光刻胶 正胶和负胶进行图形转移示意图 第四单元 光刻技术 * 1、正胶 当前常用正胶为DQN，组成为光敏剂 重氮醌(DQ)，碱溶性的酚醛树脂(N)，和溶剂二甲苯等。响应波长330-430nm 胶膜厚1-3μm，显影液是氢氧化钠等碱性物质。 正胶 IC主导 第四单元 光刻技术 * DQN显影原理 曝光的重氮醌退化，易溶于显影液，未曝光的重氮醌和树脂构成的胶膜难溶于碱性显影液。 光刻胶曝光、水解和显影过程中的化学反应方程 第四单元 光刻技术 * 2、负胶 负胶多由长链高分子有机物组成。如由顺聚异戊二烯和对辐照敏感的交联剂，以及溶剂组成得负胶，响应波长330-430nm，胶膜厚度0.3-1μm，显影液二甲苯等。 负胶 第四单元 光刻技术 * 顺聚异戊二烯负胶显影原理 曝光的顺聚异戊二烯在交联剂作用下交联，成为体型高分子，并固化，不再溶于有机溶剂构成的显影液，而未曝光的长链高分子溶于显影液，显影时被去掉。 顺聚异戊二烯+交联剂 hv 固化为体型分子