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第9章 半导体器件 9.1 半导体的基础知识 9.2 半导体二极管 9.3稳压管 9.4半导体三极管 第一节 半导体基础知识 一、半导体的导电特性 物体根据导电能力的强弱可分为导体、半导体和 绝缘体三大类。凡容易导电的物质(如金、银、铜、 铝、铁等金属物质)称为导体；不容易导电的物质( 如玻璃、橡胶、塑料、陶瓷等)称为绝缘体；导电能 力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅、锗、硒等) 称为半导体。半导体之所以得到广泛的应用，是因为 它具有热敏性、光敏性、掺杂性等特殊性能。 二、本征半导体 本征半导体是一种纯净的半导体晶体。常用的半 导体材料是单晶硅(Si)和单晶锗(Ge)。 半导体硅和锗都是 4 价元素，其原子结构如图 9.1(a),(b)所示。 本征半导体晶体结构示意图如图 9.2 所示。由图 9.2可见，各原子间整齐而有规则地排列着，使每个原 子的4个价电子不仅受所属原子核的吸引，而且还受相 邻4个原子核的吸引，每一个价电子都为相邻原子核所 共用，形成了稳定的共价键结构。每个原子核最外层 等效有8个价电子，由于价电子不易挣脱原子核束缚而 成为自由电子，因此，本征半导体导电能力较差。 图9.2单晶硅的共价键结构 但是，如果能从外界获得一定的能量(如光照、温 升等)，有些价电子就会挣脱共价键的束缚而成为自由 电子，在共价键中留下一个空位，称为“空穴”。空穴的 出现使相邻原子的价电子离开它所在的共价键来填补这 个空穴，同时，这个共价键又产生了一个新的空穴。这 个空穴也会被相邻的价电子填补而产生新的空穴，这种 电子填补空穴的运动相当于带正电荷的空穴在运动，并 把空穴看成一种带正电荷的载流子。空穴越多，半导体 的载流子数目就越多，因此形成的电流就越大。 三、 杂质半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质元素，就会 使半导体的导电性能发生显著改变。根据掺入杂 质元素的性质不同，杂质半导体可分为P型半导 体和N型半导体两大类。 1、 N型半导体 N型半导体是在本征半导体硅中掺入微量的5价 元素 (如磷、砷、镓等) 而形成的，杂质原子有5个价 电子与周围硅原子结合成共价键时，多出1个价电子， 这个多余的价电子易成为自由电子，如图9-5所示。 图9-5 N型半导体的共价键结构 在N型半导体中，原来的晶体仍会产生电子—空穴对， 由于杂质的掺入，使得自由电子数目远大于空穴数目， 成为多数载流子(简称多子)，而空穴则为少数载流子 (简称少子)。因而N型半导体以自由电子导电为主。 在P型半导体中，原来的晶体仍会产生电子— 空穴 对，由于杂质的掺入，使得空穴数目远大于自由电子数 目，成为多数载流子(简称多子)，而自由电子则为少数 载流子(简称少子)。因而P型半导体以空穴导电为主。 综上所述，在掺入杂质后， 载流子的数目都有相当程度的增加。 因而对半导体掺杂是改变半导体导电性能的有效方法。 四、 PN结 1. PN结的形成 在同一块半导体基片的两边分别形成N 型和P 型半导 体，它们的交界面附近会形成一个很薄的空间电荷区，称 其为PN结。 PN结的形成过程如图9-7所示。 2. PN结的单向导电性 1)外加正向电压(PN结正向偏置) 给PN结加上电压，使电压的正极接P区，负极接N区 (即正向连接或正向偏置)，如图9-8所示。由于PN结是 高阻区，而P区与N区电阻很小，因而外加电压几乎全部 落在PN结上。由图可见，外电场将推动P区多子(空穴) 向右扩散，与原空间电荷区的负离子中和，推动N区的多 子(电子)向左扩散与原空间电荷区的正离子中和，使空 间电荷区变薄，打破了原来的动态平衡。同时电源不断地 向P区补充正电荷，向N区补充负电荷，其结果使电路中 形成较大的正向电流，由P区流向N区。这时PN结对外呈 现较小的阻值，处于正向导通状态。 图9-8 ，9-9 PN结的单向导电性观 (a )正向连接; (b)反向连接 2)外加反向电压(PN结反向偏置) 将PN结按图9-9所示方式连接(称PN结反向偏置)。 由图可见，外电场方向与内电场方向一致，它将N区的 多子(电子)从PN结附近拉走，将P区的多子(空穴)从 PN结附近拉走，使PN结变厚，呈现出很大的阻值，且 打破了原来的动态平衡，使漂移运动增强。由于漂移运动 是少子运动，因而漂移电流很小；若忽略漂移电流，则 可以认为PN结截止。观 综上所述， PN结正向偏置时，正向电流很大； PN结 反向偏置时，反向电流很小，这就是PN结的单向导电性。 图9- 10半导体二极管的结构及符号 (a )点接触型结构; (b)面接触型结构; 图9- 11 半导体二极管的结构及符号观 (c )集成电路中的平面型结构; (d)图形符号 面接触型二极管或称面结型二极管，其结构如图 所示。这种二极管的