第5章半导体激光器(LD)：静态特性_蓝色(全).pptxVIP

第4章 半导体激光器 : 静态特性 1. 引言； 2. 自发辐射与受激辐射； 3. 光学谐振腔； 4. 阈值特性； 5. 先进LD： 电子特性的改进； 6. 先进LD： 光学特性的改进。 ■ 输出频谱 (线宽) 大； ■ 响应速度慢， 调制带宽小； ■ LED是非相干光源。 LED的输出线宽大约比LD的输出线宽大2个数量级， 而其带 宽则比LD带宽小得多 。无法用于高速、远距离通信， 只能用 于低速、短距离传输， 例如局域网、接入网 (ONU无色化) 等。 自发辐射， 响应 速度慢， 带宽小 改进措施 利用受激辐射提高 e-h对的复合率 Laser Diode e-h对在高质量的 光学谐振腔中复合 LED发光特性 ■响应速度快， 带宽大。 激光器是利用受激辐射产生光子， 其激励方式(能量注入方式)有： ◆ 电流注入 (利用PN结结构的载流子注入) ； ◆ 电子束注入； ◆激光注入； ◆碰撞电离 。 (？ ) ■光子能量大体相等， 约等于材料带隙； ■相位与方向各不相同。 受激辐射特点： ◆发出的光是相干光； ◆光子相位、方向与引起辐射的光子一致。 与引起辐射的光子在频率、相位、方向上完全一致。 ■半导体激光器工作过程： 在半导体激光器中， 有源区发光过程涉及到两种载流子 。 其过程是： 正向偏置电压下， 外界注入高能载流子， 注入的 电子能级位于导带， 在导带底附近， 注入的空穴能级位于价 带， 在价带顶部附近 。在穿过有源区的光子激发下， 导带电 子落入价带， 与价带空穴复合， 产生光子， 此光子与激发复 合过程的光子在频率、相位、方向上亦完全一致。 ● 受激辐射 ● 自发辐射 ■LD工作在高电场条件， 即外界激励很强， 载流子浓度高， 有 源区达到粒子数分布反转； ■光谐振腔的存在， 使其中一部分光子因满足谐振条件而迅速 增强， 逐渐在整个光波中占有绝对优势， 最终克服器件损耗 ， 形成稳定的激光输出。 3. 粒子数分布反转 在无外界注入条件下， 绝大多数电子都位于低能级， 粒子数 分布反转是指由于能量注入， 使得高能级上的电子数反而比低 能级电子数更多， 这是普通激光器的粒子数分布反转 。对于半 导体激光器， 工作过程涉及到两种载流子， 其粒子数分布反转 是指在一定能量范围内， 导带内的电子比价带内的电子还要多。 在平衡状态下 (无外界载流子注入) ， 两种能级上的电子数 目分别是： 在非平衡状态下 (有载流子注入) ， 导带能级和价带能级被 电子占据的几率分别是： 假设引起LD受激辐射的光束强度为 受激辐射率为： distribution of particles reversed ， 则有源区的 吸收率为： 达到粒子数分布反转的必要条件是： ■ 高注入； ■ 高掺杂。 限制层 激活层 限制层 左右两个侧面为平行的抛光面 输出光 F-P腔的主要构造： ■ P-N结结构； ■ 与P-N结面垂直的两个镜面； ■ 电极及热沉。 2. 常见光腔种类： ◆ F-P腔 ◆ 含周期光栅的分布反馈式光腔 (DFB和DBR) ◆ 含特殊反射器的表面发射腔 对应的共振频率为： ， 应该是 的整数倍 。 由此推出满足谐振条件的光波长为： ， 光腔厚度方向上的距离 有源区 折射率 N 区 P 区 ■ 量子阱半导体激光器， 由于有源层很薄， 对光波的限制能 力弱， 其光波限制因子大约只有1%左右。 其大小与激光器的结构有关， 不同的激光器其光波限制因子 有很大差别 。例如： ■ 体材料半导体激光器， 如F-P腔LD， 光波限制因子接近于 100%； 【例4. 1】一个GaAs材料制作的F-P腔半导体激光器， 其腔长 为L=200um， GaAs材料的折射率为3.66 。计算： ( 1) 纵模之间的频率间隔； (2) 纵模之间的能量间隔。 5. 光吸收、损耗与增益 ( 1) 增益系数 在激光器内部， 同时存在光的吸收和光辐射过程， 因此， 光吸 收和光增益是同时存在的， 在不同条件下， 增益的情况不同。 1) 在达到粒子数反转条件之前， 材料内部的吸收过程要比光 辐射过程更强烈， 光的增益是负值， 即此时材料对光表现为净 吸收： 净吸收 光波在有源层的传播规律为： 2) 达到粒子数反转条件之后， 材料内部的受激辐射过程要比 光吸收过程更强烈， 光的增益是正值， 即此时材料对光有放 大作用： 增益系数： ■ 小注入条件下， 无法达到粒 子数反转， 有源区吸收程度大 于受激辐射， 增益为负值； ■ 随注入增加， 达到粒子数反 转条件， 增益