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表面改性对制备疏水sio 1 sio气凝胶的超临界干燥 20世纪70年代末，clador大学的tenter实验室以郑硅酸甲脂（tos）为原料，采用溶解凝胶法和超声波干燥技术制备了sikul-sio2ecd，为气凝胶的研究迈出了一步。SiO2气凝胶由于其独特的纳米多孔网络结构,具有很低的热导率和声音传播速度等特性,这使得它可用作超级隔热材料和隔音材料等,在航空、航天及军事领域有着广泛的应用前景。 SiO2气凝胶的超临界干燥需要在高温高压或高压下进行,对干燥容器的要求很高,大大增加了气凝胶的成本,同时操作也很危险,欧洲曾发生气凝胶超临界干燥装置爆炸的悲剧。且通常制备的SiO2气凝胶表面含有大量的羟基,这使得它们在空气中易吸潮,遇水破碎,影响其声学和热学性能,极大地限制了SiO2气凝胶的应用范围。因此常压条件下干燥制备SiO2气凝胶成为国内外研究的重点。 在常压干燥过程中,凝胶表面羟基之间会相互缩合引起凝胶不可逆收缩而坍塌,得不到气凝胶。因此常压干燥制备气凝胶时,必须对凝胶进行表面改性,以消除或减少凝胶表面羟基,凝胶表面改性成为常压干燥制备气凝胶的关键。目前,表面改性主要采用三甲基氯硅烷,但三甲基氯硅烷与凝胶表面羟基反应产生副产物盐酸,对设备的腐蚀严重,且将盐酸洗涤干净需要大量的溶剂,大幅度提高了操作的复杂性。 本文以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,采用六甲基二硅氮烷(HMDZ),六甲基