《模拟电子技术》复习题10套及答案.docxVIP

- - PAGE 1 - 《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在 N 型半导体中，多数载流子是 ；在 P 型半导体中，多数载流子是 。 2、场效应管从结构上分为结型和 两大类，它属于 控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入 （共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的 电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入 。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为 、 、 。 7、正弦波振荡电路通常由 ， ， 和四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（ ）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。 A 空穴 B 三价元素硼 C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图 2-3 所示，其类型为( )场效应管。A P 沟道增强型 MOS 型 B P 沟道耗尽型 MOS 型 C N 沟道增强型 MOS 型 D N 沟道耗尽型 MOS 型 E N 沟道结型 F P 沟道结型 + 15V 8V + B=50 Rf Re1 Re2 - 15V 8V - 图2-2 Re1 Re2 图2-5 + 图2-1 + 图2-1 id id  Ugs+1 图2-2  Uc