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gaas太阳能电池的研制 1 太阳能电池电源 与硅能源电池相比，gaas能量电池具有独特的优点，能够承受干燥、高工作量和高效率。随着空间技术的发展, 对航天用太阳能电池提出了更高的要求, 尤其对GaAs太阳能电池用作卫星电源寄予厚望。20多年来, GaAs太阳能电池的发展十分迅速, 理论和实验研究都取得很大成绩, 并已进入实际应用。1988年日本发射的CS—3卫星用了8万片平均效率为17.5% (AMO, 20 mm×20 mm) 的GaAs电池构成太阳能电池电源方阵系统供电。GaAs太阳能电池的类型从简单的PN结电池发展到多结电池, 以及廉价的Si和Ge衬底上的GaAs电池、薄膜电池、聚光电池[1～4]等。制作工艺由扩散发展到液相外延 (LPE) 、有机金属化学汽相沉积 (MOCVD) 、分子束外延 (MBE) 等。 我们利用国产水平液相外延系统, 采用三室分离多片外延石墨舟研制了AlxGa1-xAs/GaAs太阳能电池, 获得较好的结果。下面简单介绍GaAs太阳能电池的基本工作原理、结构设计和制作工艺, 以及所研制电池的电性能参数的测试结果, 最后对提高GaAs太阳能电池效率问题进行讨论。 2 能源电池的基本工作原理和结构的设计 2.1 g-g-pn结亚激光电动 PN结GaAs太阳能电池的工作原理是:对于太阳光能量 (hν) 大于GaAs禁带宽 (Eg) 的入射光子, 进入PN结GaAs后将在其体内把价带的电子激发到导带而产生光生电子-空穴对, 这些光生载流子扩散运动到PN结时, 将被PN结的内建电场分开而产生光生电动势。若在PN结的两个端面上分别制作电极便构成一个半导体太阳能电池, 并将对其负载提供输出功率。 2.2 gaas太阳能电池的结构设计 2.2.1 alxga1-hs异质窗口层 (1) 在同质结p-GaAs/n-GaAs太阳能电池中, 知道GaAs有大于106cm/s的表面复合速度, 入射光在近表面处产生的光生载流子除一部分流向n-GaAs区提供光生电流外, 其余则流向表面而产生表面复合电流损失, 致使同质结GaAs电池的光电转换效率较低。为减少p-GaAs区的光生电子在其表面的复合损失, Woodall和Hovel建议在p-GaAs上外延一层薄的p-AlxGa1-xAs异质窗口层, 使界面处形成导带势垒 (ΔEc/q) , 用以阻止光生电子向表面运动。由于AlxGa1-xAs与GaAs有较好的晶体匹配, 该异质面间的界面复合速度可低于104cm/s, 从而把GaAs的高表面复合改变为低的界面复合, 使得GaAs电池的效率大为提高。另外, 高x值的AlxGa1-xAs层有大的Eg值, 因而是一种对入射光能量 (hν) ≤Eg) 的透明窗层。当AlxGa1-xAs层制作得很薄时, 其表面层的吸收损失是很小的。 (2) 若在入射光的表面层内建立一个能阻止光生电子向表面扩散的漂移场, 也是提高电池效率的一个好办法。 (3) 把n-GaAs区改作成n-n+-GaAs低-高结区, 对增强n-GaAs区光生空穴向PN结反射, 提高开路电压 (Voc) , 降低反向饱和电流和制好背面欧姆接触都是极有好处的, 从而有利于提高太阳能电池效率。 2.2.2 alxga1-shs/gaas结构的外在决定 基于上述分析, 电池结构的能带如图1所示。图中所示符号具有大家熟知的含义, 不再说明。我们对图1结构的AlxGa1-xAs/GaAs太阳能电池进行了仔细的理论计算, 得到了其I-V特性的解析表达式。将图1中的某一个或两个区域去掉, 可得相应结构的理论结果。根据理论结果, 在恰当选定实验上能够实现的半导体参数和几何结构参数下, 得到不同优化结构设计的GaAs和AlxGa1-xAs/GaAs电池的电特性的理论结果如表所示 表1的理论计算结果是在AMO、135.3mW/cm2光照, 并假定电池的串联电阻 (Rs) 趋于零, 并联电阻 (Rsh) 趋于无穷大, 入射光面的遮光面积为零的条件下得到的。可以看出:p+-AlxGa1-xAs/p-n-n+-GaAs结构是最好的。要实现此结构必须采用两次外延或多次外延工艺。为了工艺上的简便, 我们首先选择了表1中的第三种结构, 即p+-AlxGa1-xAs/pn+-GaAs来制作太阳能电池, 其剖面如图2所示。 3 p+-alxga1-shs+n+-gaas外延芯片的生长 (1) LPE生长p+-AlxGa1-xAs层首先将抛光和清洗好的n+-GaAs基片竖插于新设计的构形灵活的水平推挤式三室分离多片外延生长石墨舟的中间生长室中。前室内有按设计要求事先配制好的Zn和Al的饱和GaAs的Ga溶液。后室空着。石墨舟置于石英管内, 待外延炉温升到设定值, 至恒温后, 将石英管进炉。待温度恢复到设定值,