gaas晶圆130nm光刻工艺研究.docxVIP

gaas晶圆130nm光刻工艺研究 大批量生产光刻工艺的展望 砷化（gaas）单次微波电路（pmi）具有可靠性高、成本低、尺寸小、参数高等优点。由于gaas的通信接收模块、混音器和放大器，它们在无线干扰通信和微波通信系统中得到了广泛应用。由于器件工作频率以及数据处理速度的要求越来越高,相应地对GaAs工艺提出了更高的要求。目前,130nm GaAs光刻工艺主要依靠电子束曝光,无法适应批量生产的需要,因此,迫切需要开发适用于批量生产的GaAs光刻工艺。 扫描式光刻机可以达到大批量生产光刻工艺的需要,但是目前设备的设计和调试手段主要是面向Si集成工艺,在国内基于扫描式光刻机实现GaAs深紫外(Deep ultraviolet,DUV)光刻工艺也尚未见诸报道。文中首次采用扫描式光刻机开展GaAs DUV工艺的研究,通过研究Si片与GaAs片的差异,调整设备调试方法,以常见工艺手段改善GaAs DUV光刻工艺稳定性,并进一步研究了圆片焦平面参数image tilt Ry对GaAs DUV光刻工艺的影响。 1 中心曝光图形 为了调整步进式光刻机的状态,通常都会采用Si片制备标准片,当发现设备状态不够理想时,可以通过读取标准片焦平面数据与曝光结果之间的差异来做出相应的补偿,恢复到比较理想的状态。相同的,PAS5500/700扫描式光刻机依然沿用了这样的技术路线,通过在硅片上曝光特定图形,并读取焦平面参数,根据焦平面参数调整设备状态,使设备达到合适曝光130nm工艺的状态。按照这样的思路,以Si片为标准片完成设备状态调整后,尝试在101.6mm(4英寸)GaAs片上光刻130nm图形,得到的全片数据典型结果如图1所示。 曝光单元大小为8mm×13mm,曝光图形为周期260nm、占空比1∶1的条形光栅。数据采集时选择曝光单元四个顶角的图形,测量线宽以图像中间的线条宽度为标准。每个圆片采集五个曝光单元,共20个线宽数据如图1(a)所示分布,阴影部分代表曝光图形不完整,有线条残损或缺失。分析数据发现全片平均线宽尺寸为126nm,曝光单元左侧图形平均线宽131nm,而曝光单元左侧图形平均线宽为122nm,两侧图形相差9nm。同时,由图1可以看出不完整图形集中在曝光单元的右侧,且几乎所有右侧图形都不完整。中心曝光单元上方两个曝光图形对应的光刻胶形貌的SEM图片如图1(b)和(c)所示,左侧图形线条完整,而右侧图形最左侧线条已经完全被显影掉,同时整个曝光图形中都有大片的残胶未显影干净,显然无法达到实际的工艺要求。 从光刻统计结果不难发现,曝光单元左侧图形和右侧图形线宽尺寸存在明显的差异,同时曝光单元左侧图形形貌明显优于右侧图形。初步结果表明以Si片为基础调整设备状态,无法在GaAs片上得到满意的光刻图形。针对以上的光刻结果,基本可以判断是由Si片和GaAs片表面状态的差异导致焦平面参数的差异,使得以Si片为标准片调整机器状态不适合于GaAs片DUV曝光,为了弄清二者之间的差异,尝试分别以Si片和GaAs片为标准片调整设备状态后验证两种原片焦平面参数的差异。获得结果如表1所示。 显然,以Si片调整设备状态时,可以在Si片上得到很好的焦平面常数,表明设备状态满足Si片DUV曝光,但是GaAs片的测试结果不够理想,差异最明显的就是Y方向图形倾斜参数。以GaAs片为标准片调整设备状态时,在GaAs片上得到的Y方向图形倾斜参数较小,其他参数变化不大,经过工艺验证这样的状态基本可以实现130nm光刻工艺,但此时Si片上得到的Y方向图形倾斜参数为-24.22μrad,已经远远超出工艺允许值,而其他参数变化不是很明显。由此可以得出Si片和GaAs片的Y方向图形倾斜参数存在20μrad以上的差异,这就是导致以Si片为标准片调整设备状态无法在GaAs片上光刻出满意图形的原因。 为了进一步验证以上结论,以GaAs片为标准片调整设备状态,重复测试Si片和GaAs片的焦平面数据,得到结果如表2所示。 多片的测试结果对比,很明显地看出,Si片和GaAs片的Y方向图形倾斜参数存在20μrad以上的差异。进一步确认,采用Si片为标准片调整设备状态已经不适合GaAs DUV扫描式光刻工艺,必须以GaAs片为标准片调整光刻机状态。 根据前文的分析结果,以GaAs片为基础调整光刻机状态,然后尝试全片曝光130nm图形,曝光图形、曝光方式以及数据采集均与上文相同,得到全片数据典型结果如图2所示。 全片平均线宽为131nm,最大线宽139nm,最小线宽123nm,线宽均匀性为6.10%,曝光单元左侧平均线宽为134nm,曝光单元右侧平均线宽为128nm,线宽尺寸也存在6nm的差异,但是从曝光结果(光刻胶形貌)来看,曝光单元左右两侧的光刻胶形貌都能保持完好,同时整个曝光图形中只有栅条边上有少许