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- 2023-11-11 发布于四川
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本发明提供一种磁控溅射装置(SM)用阴极单元(CU)及磁控溅射装置，其不会导致等离子体的局部消失等，可使与溅射的进行相伴的靶侵蚀区域大致均匀，可提高靶的利用效率。设置在真空室(1)内配置的靶(41～44)的背对溅射面一侧上的磁铁单元(51～54)改变靶侧极性地具备线状中央磁铁(52)和包围中央磁铁周围的周边磁铁(53)，所述周边磁铁具有直线部(53a，53b)和跨接两直线部的两自由端的跨接部(53c)，以通过磁场的垂直成分为零的位置的线沿中央磁铁的长边方向延伸并闭合为跑道状的方式产生从溅射面泄漏
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117044403 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202180090208.5 (74)专利代理机构 北京英特普罗知识产权代理
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