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ICS 31.080 CCS L 40/49
团 体 标 准
T/CASAS 031—2023
面向 5G 基站应用的 Sub-6GHz 氮化镓功放模块测试方法
Test method of Sub-6GHz GaN power amplifier for 5G base station
application
版本:V01.00
2023-06-30 发布 2023-07-01 实施
第三代半导体产业技术创新战略联盟 发布
目 次
前 言 III
引 言 IV
范围 1
规范性引用文件 1
术语和定义 1
符号和缩略语 1
测试条件 2
输入条件 2
测试工具/仪表要求 3
测试方法 3
通则 3
GaN 功放性能指标测试方法 3
增益及增益平坦度测试 3
线性动态范围内增益波动测试 4
额定输出功率及效率测试 5
DPD 测试(ACLR) 6
DPD 测试(频谱辐射模板) 7
DPD 测试(EVM) 8
带外杂散测试 9
谐波测试 10
数据记录和处理 11
测试报告 11
附录A (资料性)测试数据记录 13
参考文献 15
2020《标准化工作导则 第 1 部分:标准化文件的结构和起草规则》的规
定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会(CASAS)制定发布,版权归 CASAS 所有,未经 CASAS 许可不得随意复制;其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经 CASAS 允许;任何单位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号。
本文件主要起草单位:中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所、苏州能讯高能半导体有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、中国科学院半导体研究所、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、工业和信息化部电子第五研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
本文件主要起草人:封葳、王宇、段向阳、别业楠、刘建利、樊宁、王晖、董晶、默江辉、周强、裴轶、刘波亭、魏学成、郑雪峰、陈文华、王茂俊、蔡宗棋、徐瑞鹏。
引 言
氮化镓作为新型战略半导体材料,以其优异的性能已成为 5G 基站的最佳选择。随着 5G 基站相关技术的不断突破与更新,氮化镓功放模块受到越来越多的重视。围绕氮化镓功率器件的功放模块电路设计技术不断取得突破,已成为 5G 基站的关键部件,并逐步开始在多个领域进行商用。
为了进一步加快氮化镓功放的产业化发展和规模化应用,迫切需要制定氮化镓功放模块的相关测试方法和规范,以便更加有效和专业的评估氮化镓功放性能,提升 5G 基站性能指标和产品竞争力,缩短研发和生产周期、提高生产效率。同时拉通和氮化镓器件指标和测试方法的关联关系,促使氮化镓厂家不断提升产品性能和质量,为我国通信技术持续领先和第三代半导体的产业化奠定基础。
本文件根据我国三大运营市场需求和入网测试指南,借鉴 3GPP TS 37.104 V16.5.0 等国际通信协议,并结合了近几年科研人员在氮化镓功放领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结,对氮化镓功放性能指标的测试方法进行了详细的规定,包括且不限于测试目的、测试环境、测试方法及步骤、测试工具及仪表等,但局限于当前科研人员对氮化镓功放本身的认知,以及该产品生产与应用所处的发展阶段,可能还存在一些不足的地方,后续将根据研究进展不断进行完善和升级。
范围
本文件描述了氮化镓功放模块(以下简称“GaN 功放”)的测试条件、测试要求和测试方法。本文件适用于GaN 功放的测试、质量评价。
规范性引用文件
本文件没有规范性引用文件。
术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
氮化镓功放模块 GaN power amplifier module
采用氮化镓功率器件研发的 5G 基站射频功率放大模块,一般为多尔蒂(Doherty)架构,通常置于发射机的末端。
注: 其主要功能是将已调制的射频信号放大至所需的功率,然后通过天线辐射到空间,由移动终端进行接收。
符号和缩略语
下列符号和缩略语适用于本文件。 f_offset:测量滤波器中心点频率偏移。。f_offsetmax:测量滤波器中心点频率偏移最大值。Η:GaN功放效率。
I:GaN功放漏极电流。
Pout:输出功率。PAin:功放输入。PAout:功放输出。
U:GaN功放漏极电压。
?f:测量滤波器–3dB 点频率偏移。
?fmax:测量滤波器–3dB 点频率偏移最大值。
?A?:参数符号,以实际为准。
?B?:参数符号,以实际为准。
?C?:参数符号,以实际为准。
ACLR:相邻频道泄露比(Adjacent Channel Leakage Ratio)。BBU:基带单元(Base-Ban
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