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Ge/Si(001)量子点形成和稳定性的研究 －Si(113)表面结构的计算金 慧 邓胜华 张金奎 刘悦林 吕广宏 半导体器件小型化低维半导体量子点（尺寸：几十到几百纳米范围）研究背景：量子点 自组织量子点成本高从上到下 (top-down)光刻： 400-700nm 不能满足要求电子束： 20-100nmX射线： 10-100nm从下到上 (bottom-up)自组装或自组织方式 简单经济 Ge/Si(001)自组织量子点Ge在Si(001)表面生长表现为SK(Stranski-Krastanov)型生长二维层状方式三维岛状方式3～4 Ge layerHUT(105)晶面DOME(113)晶面 研究内容 计算分析构成Dome的Ge/Si (113)表面的表面能和表面应力以及它们随Ge沉积层数增加的变化。Si(113)表面结构、表面能和表面应力计算 表面重构Si(113)表面室温为(3×2)重构，温度800K转化为(3×1)重构 重构模型： (3×1)-AD (Ranke 1990) (3×1)-AD(p)和(3×2)-AD(op) (Wang 1996) (3×2)-ADI和(3×1)-AI (Dabrowski 1994)Si(113)表面沉积Ge原子层，将导致(3×2)向(2×2)重构转变，结构为： (2×2)-TPIR (Zhang 2002) 研究方法第一原理赝势方法 － 密度泛函理论和局域密度近似超软赝势：US-PP (Ultrasoft Pseudopotentials)VASP计算软件截止能：164 eV收敛条件：作用在原子上的力0.001 eV/ ? 晶格常数计算 2原子金刚石结构原胞确定Si的晶格常数计算值实验值晶格常数(?)5.3955.43体弹性模量(GPa)96.6100 尺寸：11.4×12.7×28.5? 真空层：~10.6 ?vacuumvacuum超晶胞：(3×1)(3×2) 尺寸：7.6×12.7×28.5? 真空层：~10.6 ?vacuumvacuum超晶胞：(2×2) Relaxed整个表面处于不稳定的高能量状态，只能通过自身的重构来降低其表面的能量，其中的一个途径就是降低表面悬键的密度。 Si(113) (1×1)理想表面(001)类原子(111)类原子 (3×1)-AD(3×1)-AD重构Adatom(A)Dimer(D)五聚体 (3×1)-AD(p)(3×2)-AD(op)(3×1)-AD(p)和(3×2)-AD(op)重构downup (3×2)-ADI(3×1)-AI(3×2)-ADI和(3×1)-AI重构Interstitial(I) (2×2)-TPIR重构(2×2)-TPIR 计算结果：表面能和表面应力ReconstructionSurface EnergymeV/ ?2Surface StressmeV/ ?23×23×1Bulk terminatedRelaxed(3×1)-AD92.9113.7(3×1)-AD(p)92.2121.6(3×2)-AD(op)92.0122.4(3×2)-ADI88.7130.6(3×1)-AI88.9134.32×2Bulk terminatedRelaxed(2×2)-TPIR91.2156.6137.4 138.2115.5 121.8137.4138.1115.5121.9 选用不同的重构结构，比较不同Ge沉积层数时表面能和表面应力的变化，确定Ge沉积后的表面结构。进一步与连续体模型相结合，考察Dome的形成与稳定性。下一步工作GeSi(113)面 The End谢 谢 ！ Ge/Si半导体量子点形成和稳定性的定量研究 中国物理学会2006年秋季会议 计算物理专题北京航空航天大学理学院 吕广宏 Ge growth on Si(001) surface A prototype model system of SK growth-2D: layer-by-layer growth -3D: huts - small coherent islands - {105}- facetedCountesy of Prof. M. Lagally Surface energy and strain energyHut formationRelaxation of strain energy - island volumeIncrease of surface energy - island surface