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- 2023-11-29 发布于四川
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本公开提供一种硅片表面离子采集装置及方法，该装置包括：承载台，承载台用于承载硅片，硅片表面包括第一区域和第二区域；扫描单元，包括位于承载台上方的扫描头，扫描头与承载台之间可相对运动，以向第一区域涂布扫描液；吹扫单元，包括位于承载台上方的吹气头，吹气头能够吹送从第一区域扫向第二区域的气体，以使第一区域的扫描液被吹扫移动且聚集至第二区域；收集单元，包括位于承载台上方的收集头，收集头能够收集聚集于第二区域的扫描液。本公开提供一种硅片表面离子采集装置及方法可避免扫描液吸附在硅片表面而难以回收的问题，从而
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117129254 A
(43)申请公布日 2023.11.28
(21)申请号 202311088139.1 G01N 33/00 (2006.01)
(22)申请日 2023.08.
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