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- 2023-12-01 发布于湖南
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膜ROM (MROM) 固定掩膜ROM的芯片在制做掩膜板的同时,将所存的信息编排在内;一旦掩膜做好,其存储的信息就固定了。 可编程的只读存储器(PROM) PROM是一种可编程只读存储器,便于用户根据自己的需要来写入信息,这种ROM一般用二极管矩阵组成。PROM种类繁多,图6-7是—种熔断型PROM。生产厂家提供半成品的PROM阵列,由用户自己设计编码布局来制做。图6-7表示在晶体管基极不加脉冲时,发射极由镍丝接到列线输出为“1”(或“0”);在基极加入信号后,熔断镍丝,输出变为“0”(或“1”)。实现了永久性编程。内容一旦写入,就不能修改。由于PROM具有可编程性,电路、工艺相对于ROM要复杂,价格比较贵。所以在批量使用时贵于ROM;在非批量使用时比用ROM便宜。 PROM只读存储器结构 PROM只读存储器结构 3. EPROM 掩膜ROM和PROM一旦写入信息就不能改变。实际工作中程序和参数是经常要加以修改的,因此出现了能够进行重复擦、写的只读存储器EPROM。这种存储器在特殊条件下写入的信息可以长久保存,程序需要更改时,又可以采用特殊的方法将其全部擦除。如此可以多次反复使用。 Intel 2764外形与引脚信号 Intel 2764外形与引脚信号 4. E2PR0M EPROM虽然可以擦除后再写入,但无论写入还是擦除均需要专用设备。E2PROM (Electrical1y Erasable Prom)的外形和管脚分布与EPROM极为相似,它不仅提供了全片擦除功能,还可以以字节为单位进行擦除和改写,并且擦、写都在原系统中进行。断电后仍能保持修改的结果。 常用的E2PROM芯片有2816(2K?8)、2815等, Intel 2815共有26条引脚,其中Al2 ? A0是13条地址引脚,D7 ? D0是8条数据引脚,Vcc,Vpp为两个电压输入引脚,CE为芯片允许端,PGM为编程脉冲控制端。 5. 可编程只读存储器FLASH FLASH是新一代可编程只读存储器,又称为“闪烁”存储器。FLASH在结构上与E2PROM类似,只需单个晶体管便可保存信息,但工作机理不同。这类存储器具有掉电时不丢失信息、块擦除、单一供电、高密度存储信息的特点而得到广泛应用。 第6章 存储器 本章重点: ? —般微型计算机存储器系统的构成 ? 存储器的主要技术指标 ? 半导体存储器 ? Cache和虚拟存储器的基本概念 存储器是存放数据和程序的部件,是一个具有专用功能的设备。任何以微型计算机为中心组成的微型机系统都必须配置一定容量的存储器。 6.1微型计算机存储器基础 1. 存储器的分类 2. 微型计算机存储器系统 微型计算机存储器系统主要由主存储器、高速缓冲存储器、辅助存储器以及管理这些存储器的硬件和软件组成。如图6-2所示。 主存储器通常安装在主机系统板上,存放当前正在运行的程序和数据。主存储器由半导体存储器RAM和ROM组成,目前装机容量一般在1GB ? 2GB。 微型机存储器组成图 辅助存储器多用于存放系统程序及当前不直接参与运行的程序和数据,特点是容量大、造价低。辅助存储器主要有两种:一种是磁表面存储器,包括软盘和硬盘;另—种是光盘存储器。 高速缓冲存储器是介于CPU和主存储器之间的—个容量小、但速度接近于CPU的存储器,一般装在CPU内部。目前,高档微机中已配置高速缓冲存储器。 在高档微机中,由于主存空间容量有限,为了扩大CPU处理当前事务的能力,均采用虚拟存储技术。虚拟存储技术是在主存和辅存之间,增加部分硬件和软件支持,使主存和辅存形成一个整体,外存可以看是内存的一部分,经常进行内存与外存的成批的数据交换。这种概念的存储器称为虚拟存储器。 这样,主存、高速缓存和辅存在一定的软件和硬件支持下,形成一个完整的存储器体系,既具有高速缓存接近CPU的速度,又具有大的容量,满足用户对速度和容量的需要。 微型机存储器组成图 3. 存储器的主要技术指标 (1)存储容量 存储容量是存储器所容纳的二进制位的总容量,或存储器所包含的存储单元的总位数。对于按字节编址的存储器而言,N位地址码的存储器最大可编址2N个存储单元,其容量为2 N B。32位微机有32位地址码,存储器容量可支持到4GB。但目前实际装机容量为64MB ? 256MB。 (2)存储周期 存储器的两个基本操作是读出和写入。从存储器接到读出命令到读出数据之间的时间间隔称为取数时间;存储器完成—次读写操作所需的时间称为周期时间。若设存储器总线宽度为WB字节,周期时间为Tc,则数据传输率为WB/Tc,表示每秒钟存储器能并行传输多少个字节
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