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gan薄膜的光学透射谱测量方法 1. 晶体结构薄膜厚度的测量 由于gen具有广阔的带宽（约3.4ev）、高冲击钻孔强度（（1-3）106）、高电子速度（3.107cm）和高饱和电子速度（1.5.107cm）的优点，它是制造短波长光处理器、高频大型器和高光刻设备最具潜力的新型半材料之一。 由于缺少合适的GaN晶体体材料生长方法,因此,目前的GaN及其合金半导体材料大多都是基于蓝宝石和碳化硅等衬底异质外延生长的晶体薄膜. 在GaN材料生长和试验研究中,GaN晶体薄膜厚度的确定是一项基本的试验内容. 目前GaN晶体薄膜厚度的确定方法主要是x射线法、阴极发光光谱(CL)和光致发光(PL)谱等方法. x射线法通常包含x射线反射(XRR)、x射线荧光(XRF)和x射线衍射(XRD)三种方法. XRR方法用于厚度测量的最大优点是厚度测量与材料参数无关,所以该方法的应用最为普遍,XRF和XRD方法用于厚度测量时都与材料参数、晶体质量、界面/表面质量等因素有关,均需准确的参考样品. 由于x射线设备、CL谱测试仪和PL谱测量仪都很昂贵,在国内的使用并不是很普遍,因此薄膜厚度的测量影响了GaN晶体生长的研究. 而基于分光光度计的透射谱测量是一种很常用的方法,但是目前透射谱只用于确定晶体光学禁带宽度和定性地表征晶体的质量. 实际上,透射谱也是可以用来确定晶体薄膜厚度的. 本文通过对蓝宝石衬底异质外延GaN薄膜光学透射谱的分析,结合晶体薄膜的干涉效应原理并考虑折射率随光子波长变化的影响,从理论推导和试验分析两方面获得了一种基于透射谱的GaN薄膜厚度的快速准确测量方法. 2. 透射谱干涉效应的基本原理 GaN异质外延使用的蓝宝石衬底是一种无色透明的晶体,异质外延得到的GaN晶体薄膜通常也是一种无色透明晶体. 因此,利用可见光/紫外光分光光度计容易得到蓝宝石衬底异质外延GaN薄膜的透射谱曲线(见图1). 从透射谱曲线可以看出,光子波长小于364 nm的光子几乎被完全吸收,而波长大于364 nm的光子具有40%左右的透射率. 364 nm是一个明显的吸收边,对应于GaN半导体材料的本征吸收,由此可以得到GaN的光学禁带宽度为3.4 eV. 而在波长大于364 nm的透射谱曲线上具有一条周期不断变化的干涉条纹. 明显的干涉条纹和较大的调制深度表明晶体具有好的光学质量. 目前大多数文献中有关透射谱的分析仅限于上述内容. 透射谱曲线上干涉条纹的出现是菲涅耳干涉效应的结果. 图2给出了透射谱干涉效应的基本原理图. 透射光1是入射光直接透过晶体薄膜,而透射光2是入射光在GaN薄膜中经过两次反射后获得的透射光. 虽然一束入射光经过蓝宝石衬底GaN薄膜产生透射光的过程要更复杂一些,还存在更多的光学过程,如GaN薄膜中的多次反射(两次以上)以及蓝宝石与GaN和空气两个界面的反射. GaN薄膜中多次反射(两次以上)产生的透射光在整个透射光中所占的比例非常低,可以忽略. 由于蓝宝石衬底比GaN薄膜厚得多,GaN薄膜厚度通常在0.5—5.0 μm之间,而蓝宝石衬底的厚度通常为330 μm,因此蓝宝石两界面反射获得的透射光由于光程的成倍增加而变得非常微弱,也可以忽略. 所以,透射谱曲线的干涉条纹主要是直接透射光和GaN薄膜中两次反射后的透射光两种分量. 直接透射光和经过两次反射后的透射光发生干涉的条件为 其中空气的折射率为n1=1.003,GaN的折射率为n2,d为GaN层的厚度.θi为入射角,通常的透射谱测量时θi=0. (1)式中的“增强”指的是直接透射光和GaN薄膜中两次反射后的透射光同相位,相互增强,对应于透射谱曲线的峰值;“减弱”对应于透射谱曲线的谷值. 3. 方法的基本原理 从(1)式可以看出,如果知道波数k的具体数值,我们就可以利用干涉条纹的任一波峰或波谷对应的光子波长来确定薄膜的厚度d. 但实际上每个干涉条纹波峰或波谷所对应的波数k是很难确定的. 由于不同厚度的薄膜,波数k都会有所不同,因此(1)式很难直接用于计算薄膜厚度. 为了在不清楚波数k的情况下确定薄膜厚度d,我们利用下述方法消去波数k. 设透射谱曲线干涉条纹上相邻峰值和谷值对应的光子波长分别为λ1和λ2(λ1λ2),再将空气的折射率n1=1.003≈1代入(1)式,有以下公式: 引入常数Cthick,再利用测量得到的一对相邻峰值和谷值对应的波长λ1和λ2可以确定薄膜的厚度d. 具体公式如下: 将(2a)和(2b)式代入(3)式,可以确定常数Cthick的值,即 由(4)式可得,Cthick=1/(4n2). 通常,GaN薄膜的折射率n2是已知的,只要从透射谱曲线干涉条纹上得到一对相邻波峰和波谷对应的光子波长,就容易由(3)式得到GaN晶体薄膜的厚度. 实际上,如图1所示,可以从透射谱曲线干涉条纹上得到多组