等离子体化学气相沉积工艺调控铜基-石墨烯复合薄膜材料微结构及电学热学性能研究.pdfVIP

2023年9月四川大学学报（自然科学版）Sep.2023

第60卷第5期JournalofSichuanUniversity(NaturalScienceEdition)Vol.60No.5

等离子体化学气相沉积工艺调控铜基-石墨烯复合

薄膜材料微结构及电学热学性能研究

白雪园1，2，刘显波，陈龙庆²，王正上1,4，杨勇飞1,4，郑洲1

（1.中国工程物理研究院化工材料研究所，绵阳621900；

2.四川警察学院公共安全实验室，泸州646000；

3.四川大学原子核科学技术研究所教育部辐射物理与技术重点实验室，成都610064；

4.四川省新材料研究中心，成都610000)

摘要：本文利用等离子体化学气相沉积PECVD(Plasma-EnhancedChemicalVaporDeposi-

tion)技术制备了铜基-石墨烯复合薄膜，通过X射线衍射及Raman光谱证实了低温合成的可

行性。同时，逐步研究压强、功率、气流量、基底温度等关键参数对沉积速率的影响，实现了对

薄膜材料厚度和生长过程的准确控制。进一步研究发现,H2与CH4的气体比例严重影响了等

离子体与基底表面的相互作用，并导致了材料表面微观结构和粗糙度的协同改变．通过工艺

参数和气体配比的优化，实现了对薄膜表面结构的有效调节．当H2/CH4为1：12时，薄膜的

粗糙度最低，电子与声子的散射源被充分抑制，电导率和热导率分别达到8.3X10°S/cm与

158W/m·K,表明该材料具有良好的导电性及优秀的散热效果.本文系统优化PECVD生产

过程中的各项关键工艺参数，并详细分析了气体配比、表面结构、粗糙度及薄膜宏观物性之间

的关联，为铜基-石墨烯复合薄膜的工业化生产和商业化应用提供了理论支撑和实验依据。

关键词：PECVD；铜膜；石墨烯；电导率

中图分类号：0484.1文献标识码：ADOI:10.19907/j.0490-6756.2023.055002

Synergistictuningofmicrostructure,electrical,andthermalpropertiesof

Cu-graphenefilmsas-grownbyplasma-enhancedchemicalvapordeposition

BAIXue-Yuan1-2,LIUXian-Bo,CHENLong-Qing”,

WANGZheng-Shangl-,YANGYong-Feil-4,ZHENGZhoul

(1.InstituteofChemicalMaterials,ChinaAcademyofEngineeringPhysics,Mianyang621900,China;

2.PublicSafetyLaboratory,SichuanPoliceCollege,Luzhou646000,China;

3.KeyLaboratoryofRadiationPhysicsandTechnologyofMinistryofEducation,Instituteof

NuclearScienceandTechnology,SichuanUniversity,Chengdu610064,China;

4.SichuanResearchCenterofNewMaterials,Chengdu610000,China)

Abstract:Inthiswork,Cu-graphenecompositefilmswerepreparedbytheplasma-enhancedchemicalva