基于NDI衍生物的高取向薄膜制备及其晶体管性能.pdfVIP

  • 5
  • 0
  • 约8.62万字
  • 约 80页
  • 2024-03-04 发布于江苏
  • 举报

基于NDI衍生物的高取向薄膜制备及其晶体管性能.pdf

摘要

基于NDI衍生物的高取向薄膜制备及其晶体管性能

摘要

有机半导体材料具有成本低廉、来源广、分子结构可调节、可用于大面积制

备等优点,具有良好的发展前景。近年来,有机半导体材料的迁移率已经获得大

幅度提升。然而,和p型半导体材料相比,n型半导体材料发展相对滞后,而要

构筑互补逻辑电路,n型材料的发展十分必要。要获得高迁移率的n型器件,除

了材料本身的性质之外,高质量薄膜的制备对于提高器件性能也非常重

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档