斜切蓝宝石衬底上GaN薄膜的位错降低机制_徐爽.pdfVIP

物

理

学

报

Acta

Phys.

Sin.

Vol.

72,

No.

19

(2023)

196101

斜切蓝宝石衬底上GaN薄膜的位错降低机制*

徐爽

许晟瑞

王心颢

卢灏

刘旭

贠博祥†

张雅超

张涛

张进成

郝跃

(西安电子科技大学微电子学院,

宽禁带半导体国家工程研究中心,

宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,

西安710071)

(2023

年5

月16日收到;

2023

年7

月28日收到修改稿)

GaN材料以其宽禁带、高击穿电场、高热导率、直接带隙等优势被广泛应用于光电子器件、大功率器件

以及高频微波器件等方面.

由于GaN材料异质外延带来的大晶格失配和热失配问题,

GaN在生长过程中会

产生大量位错,

降低了GaN材料晶体质量,

导致器件性能难以进一步提升.

为此,

研究人员提出使用斜切衬

底来降低位错密度,

但是关于斜切衬