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本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，本公开的半导体结构包括衬底、第一介质层、导电层及半导体层，其中：衬底包括有源区，有源区内具有字线沟槽；第一介质层随形贴附于字线沟槽内；导电层位于第一介质层表面，且填充部分字线沟槽，导电层远离字线沟槽底部的一端与第一介质层之间具有预设间隙；半导体层位于所述预设间隙及所述导电层的顶部。本公开的半导体结构可减小寄生电容，降低GIDL。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117794237A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202211153923.1
(22)申请日2022.09.21
(71)申请人长鑫存储技术有限公司
地址23
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