用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法-征求意见稿.pdfVIP

T/CASAS034—202X（征求意见稿）

用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻

测试方法

1范围

本文件描述了用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）动态导通电阻测试

方法。

本文件适用于进行GaNHEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场

景。可应用于以下器件：

a)GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；

b)GaN集成功率电路；

c)以上的晶圆级及封装级产品。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

T/CASAS005—2022用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法

3术语和定义

T/CASAS005界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

零电压开通zero-voltageswitchingon

ZVS

on

电力电子器件在栅压上升（开启）过程中漏极电压为零，无漏极电压与电流交叠的情况。

漏源极导通压降draintosourcevoltageofDUTinon-state

VDS(on)

被测器件导通状态下的源漏极压降。

漏极电流draincurrentofDUT

ID

器件导通时，从漏极流入的电流值。

导通时漏极电流的比较值comparativevalueofdraincurrent

1

T/CASAS034—202X（征求意见稿）

I(com)

进行动态电阻测试时，控制的漏极电流值。通常需要大于器件额定电流值的10%。

预电压应力持续时间timeofpre-voltagestress

Pre-tstess

被测器件在开启之前，其两端所承受的预电压应力持续时间。

预电压应力pre-voltagestress

Pre-Vstess

被测器件在开启之前，其两端所承受的预电压应力幅值。

4零电压软开通电路动态导通电阻测试原理

如图1(a)所示，动态导通电阻测试电路可以简要划分为“主电路”“被测器件（DUT）”以及“测

量电路”三部分。其中，主电路负责提供器件给定工作模态所需要的电压、电流；被测器件即为所测试

的GaNHEMT样品；电压、电流测试电路负责测量器件开关动作后，稳定导通时两端的V以及I，通

DS(on)D

过V/I的方式来计算器件的导通电阻。零电压软开通的定义如图1(b)所示，当被测器件的漏源电

DS(on)D

压V下降到导通电压（近似0V）后器件的栅源电压V才开始上升，则为零电压软开通。

DSGS

可实现零电压软开通的测试电路有多种形式，图2(a)给出了一种最常见的半桥拓扑测试电路供参

考。该测试电路由直流高压电源V，蓄能电容C、C、C，负载电感L，桥臂上管S，电压钳位电路

inININ1IN21

与被测管DUT组成。被测管的开关状态由信号发生装置发出的栅极脉冲信号控制。

图2(b)为采用图2(a)所示的测试电路时，被测器件工作在零电压软开通模式下的典型工作时序图。

首先，在被测器件S开启之前，先控制上管S导通一段时