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中国光刻胶竞争格局及重点企业分析

内容概要：因生产技术较为复杂、工艺所需光刻胶有严格的质量要求且国内光刻胶生产

工艺及产能不足以满足市场需求，我国光刻胶市场主要由日系的JSR、信越化学、东京应化

等少数公司所垄断，国内光刻胶大规模产业化生产企业相对较少，大部分企业目前仍处于光

刻胶产品技术研发阶段或光刻胶生产线加紧建设阶段。随着国内半导体产业国产化替代浪潮

的兴起，我国光刻胶产品技术研发不断增加，国产光刻胶技术专利申请量上升，国内光刻胶

产品生产技术水平不断提升，国产供应能力不断增强，行业市场国产化进程加速推进。

关键词：光刻胶竞争格局、光刻胶技术研发、光刻胶产业重点企业分析、国产高端光刻

胶

一、市场产品研发力度增强，国产光刻胶替代加速

光刻胶是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化

的耐蚀剂刻薄膜材料，主要由感光树脂、增感剂和溶剂3种材料组成的对光敏感的混合液体，

可在光刻工艺过程中用作抗腐蚀涂层材料，是光刻工艺最重要的耗材，对光刻精度至关重要，

光刻胶被称为半导体材料皇冠上的明珠，是半导体产业最关键的材料。据在光刻胶工艺过程

中形成的图像，光刻胶可大致分为正性光刻胶和负性光刻胶两大类，主要应用于显示面板、

集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。

因生产技术较为复杂、工艺所需光刻胶有严格的质量要求且国内光刻胶生产工艺及产能

不足以满足市场需求，我国光刻胶市场主要由日系的JSR、信越化学、东京应化等少数公司

所垄断，国内光刻胶大规模产业化生产企业相对较少且企业所占市场份额较低，如2021年，

晶瑞电材光刻胶业务收入为2.74亿元，所占行业市场份额仅2.94%；国内大部分企业目前

仍处于光刻胶产品技术研发阶段或光刻胶生产线加紧建设阶段，如国风新材与中科大及哈工

大成立联合实验室开展PI光刻胶材料研究、万润股份的年产65吨光刻胶树脂系列产品项目、

飞凯材料的5000t/aTFT-LCD光刻胶项目、晶瑞电材的集成电路制造用高端光刻胶研发项目、

南大光电的ArF光刻胶产品开发与产业化研发项目等。

随着国内半导体产业国产化替代浪潮的兴起，我国光刻胶产品技术研发不断增加，国产

光刻胶技术专利申请量上升，主要由上海、北京、江苏、广东、安徽、浙江等省市地区企业

申请，如京东方科技集团股份有限公司、中芯国际集成电路制造（上海)有限公司、中国科

学院微电子研究所、上海华力微电子有限公司、中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、

上海华虹宏力半导体制造有限公司、台湾积体电路制造股份有限公司、西安电子科技大学、

上海华虹NEC电子有限公司、北京大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、北京京

东方光电科技有限公司、长鑫存储技术有限公司等，国内光刻胶产品生产技术水平不断提升，

国产供应能力不断增强，行业市场国产化进程加速推进。

随着国内半导体产业国产化替代浪潮的兴起，我国光刻胶产品技术研发不断增加，国产

光刻胶技术专利申请量上升，主要由上海、北京、江苏、广东、安徽、浙江等省市地区企业

申请，如京东方科技集团股份有限公司、中芯国际集成电路制造（上海)有限公司、中国科

学院微电子研究所、上海华力微电子有限公司、中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、

上海华虹宏力半导体制造有限公司、台湾积体电路制造股份有限公司、西安电子科技大学、

上海华虹NEC电子有限公司、北京大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、北京京

东方光电科技有限公司、长鑫存储技术有限公司等，国内光刻胶产品生产技术水平不断提升，

国产供应能力不断增强，行业市场国产化进程加速推进。

二、企业加大产品研发投入，南大光电突破ArF光刻胶技术封锁

（一）南大光电：“02-专项”通过验收，加速ArF光刻胶产业化实现

南大光电全称江苏南大光电材料股份有限公司，诞生于国家“863”计划，于2000年正

式创办成立，成长于国家“02-专项”，于2012年8月7日在深圳证券交易所创业板挂牌上

市。南大光电围绕前驱体材料（包含MO源）、电子特气和光刻胶三项核心电子材料进行奋

斗，产品广泛应用于制备IC、LCD、LED、OLED、功率器件、半导体激光器等领域，并通过

在江苏苏州、浙江宁波、安徽全椒、山东淄博、内蒙古乌兰察布设立研发生产基地，在北美

设立营销技术服务分公司，企业基本形成了三大核心业务板块布局。其中，浙江宁波的光刻

胶生产基地占地面积达90666平方米，主要承担企业高端光刻胶及配套材料的研发和产业

化。

2017年，南大光电承接另外国家“