半导体设备行业系列研究之二十七：键合设备，推动先进封装发展的关键力量.docxVIP

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TOC\o1-2\h\z\u一、键合机——半导体封装技术进步的承载 6

（一）键合机是半导体后道封装环节的重要设备 6

（二）受益于先进封装，键合机迎来广阔发展 7

二、封装技术不断演进，对键合工艺要求持续提高 10

（一）封装技术随芯片性能要求不断演进 10

（二）从引线键合到混合键合，键合工艺不断发展 12

三、国内外半导体键合设备公司梳理 32

（一）先发优势明显，海外龙头占据高端市场 32

（二）国产替代需求推动，国内厂商加速追赶 43

四、风险提示 47

（一）下游行业发展不及预期的风险 47

（二）行业竞争加剧风险 47

（三）国产替代进度不及预期的风险 47

图表索引

图1：传统键合方式和先进键合加工流程对比 6

图2：传统键合方式和先进键合示意图 7

图3：大数据与AI算力需求驱动下，半导体需求长期向好 7

图4：全球先进封装市场规模与增速（亿美元） 8

图5：先进封装架构的提出引入了更多的封装环节 8

图6：全球封装设备市场规模变化情况（百万美元） 9

图7：台积电CoWoS-R示意图 12

图8：台积电SoIC示意图 12

图9：引线键合的结构示意图 13

图10：一次引线键合示意图（引线连接芯片） 14

图11：二次引线键合示意图（引线连接基板） 14

图12：倒装键合结构示意图 16

图13：引线键合和倒装键合信号传输路径对比 16

图14：Bumping工艺发展历程 16

图15：UBM（凸点下金属化层）示意图 17

图16：C4和C2微凸点制作工艺流程 18

图17：批量回流焊工艺流程示意图 18

图18：回流焊键合出现桥接现象 19

图19：热压键合工艺流程示意图 20

图20：热压键合设备示意图 20

图21：TCB和回流焊产量效率对比 20

图22：TSV工艺流程图 21

图23：HBM中各层DRAM的TSV依靠Microbump来连接 21

图24：海力士MR-MUF键合工艺流程 22

图25：海力士HBM堆叠键合技术演进图 22

图26：TC-NCF和MR-MUF结构对比 23

图27：MR-MUF比TC-NCF技术可以更显著降低HBM运行温度 23

图28：混合键合工艺流程示意图 24

图29：索尼的IMX990是最早使用W2W混合键合技术的产品 25

图30：W2W混合键合与D2W混合键合工艺流程对比 25

图31：Co-D2W和DP-D2W键合工艺流程对比 26

图32：键合技术的演进 27

图33：混合键合可以大幅提高单位面积I/O数量 27

图34：SK海力士已于HBM2E上验证了混合键合工艺的可靠性 28

图35：混合键合可以在大幅提高单位面积I/O数量 28

图36：台积电SoIC-WoW混合键合工艺可以显著提高凸点密度 28

图37：AMD3DV-Cache技术运用了混合键合工艺 28

图38：混合键合系统未来保有量预测（台） 29

图39：临时键合和解键合步骤 30

图40：光学临时键合步骤 30

图41：运用热压临时键合+激光解键合的工艺流程 31

图42：BESI产品矩阵 32

图43：BESI在可触及产品市场中占据主导地位 33

图44：BESI近五年营收及增速（亿美元） 34

图45：BESI近五年净利润及增速（亿美元） 34

图46：BESI近五年毛利率、净利率情况 35

图47：BESI收入结构变化 35

图48：ASMPT先进封装系列产品矩阵 36

图49：ASMPT近五年营收及增速（亿美元） 37

图50：ASMPT近五年净利润及增速（亿美元） 37

图51：ASMPT近年毛利率、净利率情况 37

图52：EVG键合机系列产品矩阵 38

图53：EVG320D2W晶片准备与活化系统 39

图54：GEMINI?FB自动混合键合系统 39

图55：SUSS晶圆键合产品矩阵 40

图56：KS半导体封测设备与耗材产品矩阵 41

图57：KS近五年营收及增速（亿美元） 41

图58：KS近五年净利润及增速（亿美元） 41

图59：KS近五年毛利率、净利率情况 42

表1：先进封装的发展带来了键合步骤和设备价值量的提升 8

表2：封装技术各发展阶段详解 11

表3：封装工艺的发展对键合设备的精度要求逐渐提高 12

表4：引线键合主流材质 15

表5：Co-D2W（集成式D2W）和DP-D2W（直接放置D2W）优劣势对比 25