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单相桥式半控整流电路的设计

1设计任务和要求

：

单相桥式半控整流电路的设计要求为：

负载为阻感负载L=20mH,R=10Ω；

电网供电电压为单相220V；

直流输出电压为0～180V且持续可调。

设计要求

方案设计；

完成主电路的原理分析,各要紧元器件的选择；

触发电路的设计；

绘制系统电路图；

利用MATLAB的仿真软件建模并仿真，猎取电压电流波形，对结果进展分析；

撰写设计说明书。

单相桥式半控整流电路的设计

在单相桥式半控整流电路时由两个晶闸管VT一、VT3和两个二极管VD二、VD4组成，如以下图，由于是阻感负载，因此在电路中又加设了续流二极管VDR，以避开发生失控现象。

图

在U2正半周，当晶闸管在触发角a处给晶闸管VT1加触发脉冲，U2经VT1和VD4向负载供电。U2过零变负时，因电感作用使电流持续，VDR导通，Ud为零。现在为负的u2通过VDR向VT1施加反压使其关断，L贮存的能量保证了电流在R-L-VDR回路中流通，此进程为续流进程。无视二极管的通态电压，那么续流期间ud为0，Ud可不能显现负的现象。

在U2负半周，当晶闸管在触发角a处给晶闸管VT3加触发脉冲，U2经VT3和VD2向负载供电。U2过零变正时，因电感作用使电流持续，VDR导通，Ud为零。现在为负的u2通过VDR向VT3施加反压使其关断，L贮存的能量保证了电流在R-L-VDR回路中流通，此进程为续流进程。无视二极管的通态电压，那么续流期间ud为0，Ud可不能显现负的现象。

该驱动电路要紧运用的器件是单结晶体管，单结晶体管〔简称UJT〕又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两头别离用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为放射极e。其构造、符号和效电路如图1所示。

hgj

一、单结晶体管的特性

从图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻：

rbb=rb1rb2

式中：rb1----第一基极与放射结之间的电阻，其数值随放射极电流ie而变化，rb2为其次基极与放射结之间的电阻，其数值与ie无关；放射结是PN结，与二极管等效。

假设在两面三刀基极b2、b1间加上正电压Vbb，则A点电压为：

VA=[rb1/(rb1rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηVbb

式中：η----称为分压比，其值一样在0.3---0.85之间，假设是放射极电压VE由零渐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性，见图2

图二、单结晶体管的伏安特性

当Ve＜ηVbb时，放射结处于反向偏置，管子截止，放射极只有很小的漏电流Ice

当Ve≥ηVbbVDVD为二极管正向压降〔约为0.7伏〕，PN结正向导通，Ie显著增加，rb1阻值快速减小，Ve相应下降，这种电压随电流增加反而下降的特性，称为负阻特性。管子由截止区进入负阻区的临界P称为峰点，与其对就的放射极电压和电流，别离称为峰点电压Vp和峰点电流Ip和峰点电流Ip。Ip是正向漏电流，它是使单结晶体管导通所需的最小电流，明显Vp=ηVbb

随着放射极电流ie不断上升，Ve不断下降，降到V点后，Ve不在降了，这点V称为谷点，与其对应的放射极电压和电流，称为谷点电压，Vv和谷点电流Iv。

过了V点后，放射极与第一基极间半导体内的载流子到达了饱和状态，所以uc连续增加时，ie便缓慢地上升，明显Vv是维持单结晶体管导通的最小放射极电压，假设Ve＜Vv，管子重截止。

用单结晶体管组成的晶闸管触发电路如图1所示。与单结晶体管组成弛张振荡电路相较较，电路的振荡部份一样，同步是通过对电源电路的改进实现的。取自主电路的正弦沟通电通过同步变压器T降压，变成较低的沟通电压，然后经二极管整流桥变成脉动直流。稳压管VW和电阻RW的作用是“削波”，脉动电压小于稳压管的稳压值时，VW不导通，其两头的电压与整流输出电压相等；假设是脉动电压大于稳压管的稳压值，将使VW击穿，其两头电压维持稳压值，整流桥输出电压高出稳压值的部份降在电阻RW上。如此VW两头的电压波形近似与一个梯形波，用那个电压取代弛张振荡电路中的直流电源，起到同步作用。

由于振荡电路的电源为梯形波，在主电路正弦波每一半波终止和开头的一段时刻，振荡电路的电源电压很小，电路不振荡，同时电容电压释放到0。当电源电压接近梯形波的顶部时，振荡电路开头工作，当电容充电使两头的电压到达峰点电压时，单结晶体管导通电容放电，放电