单晶硅和多晶硅的区别.docx

单晶硅和多晶硅的区分

一概述

当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成很多晶核,假设这些晶核长成晶面取向一样的晶粒,则形成单晶硅。假设这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则形成多晶硅。

多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面,多晶硅均不如单晶硅。

单晶硅可算得上是世界上最纯洁的物质了,一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高,硅的纯度必需到达九个9。目前,人们已经能制造出纯度为十二个9的单晶硅。

二生产工艺

多晶硅的生产工艺主要由高纯石英(经高温焦碳复原)→工业硅(酸洗)→硅粉(加HCL)→SiHCL3(经过粗馏精馏)→高纯SiHCL3(和H2反响CVD工艺)→高纯多晶硅。

单晶硅生产工艺主要有两种,一种是直拉法,一种是区熔法。工艺的介绍也可以在网上找得到。

三单晶硅

英文名:Monocrystallinesilicon分子式:Si

硅的单晶体。具有根本完整的点阵构造的晶体。不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导材料。

纯度要求到达99.9999%,甚至到达99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。

用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。

单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的上升而增加,有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素,如硼可提高其导电的程度,而形成p型硅半导体;如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高导电程度,形成n型硅半导体。

单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。

单晶硅主要用于制作半导体元件。

用途:是制造半导体硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等

单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成局部,处于材料进展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、便利等诸多优势,近三十年来,太阳能利用技术在争论开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足进展,成为世界快速、稳定进展的兴产业之一。

单晶硅建设工程具有巨大的市场和宽阔的进展空间。在地壳中含量达25.8%的硅元素,为单晶硅的生产供给了取之不尽的源泉。

近年来,各种晶体材料,特别是以单晶硅为代表的高科技附加值材料及其相关高技术产业的进展,成为当代信息技术产业的支柱,并使信息产业成为全球经济进展

中增长最快的先导产业。单晶硅作为一种极具潜能,亟待开发利用的高科技资源,正引起越来越多的关注和重视。

单晶硅可算得上是世界上最纯洁的物质了,一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高,硅的纯度必需到达九个9。目前,人们已经能制造出纯度

为十二个9的单晶硅。四多晶硅

英文名:polycrystallinesilicon

性质:灰色金属光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间,室温下质脆,切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性,1300℃时显出明显变形。常温下不活泼,高温下与氧、氮、硫等反响。高温熔融状态下,具有较大的化学活泼性,能与几乎任何材料作用。具有半导体性质,是极为重要的优良半导体材料,但微量的杂质即可大大影响其导电性。

电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的根底材料。由枯燥硅粉与枯燥氯化氢气体在肯定条件下氯化,再经冷凝、精馏、复原而得。

多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成很多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。

多晶硅可作拉制单晶硅的原料,多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如,在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面,远不如单晶硅明显;在电学性质方面,多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著,甚至于几乎没有导电

性。在化学活性方面,两者的差异微小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区分,但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。

五国际多晶硅产业概况

多晶硅材料的生产技术长期以来把握在美、日、德等3个国家7个公司的10家工厂手中,形成技术封锁、市场垄断的状况。

多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池。按纯度要求不同,分为电子级和太阳能级。其中,用于电子级多晶硅占55%左右,太阳能级多晶硅占45%,随着光伏产业的迅猛进展,太阳能电池对多晶硅需求量的增长速度高于半导体多晶硅的进展,估量到2023年太阳能多晶硅的需求量将超过电