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2024年06月12日
行
业电子强于大市(维持评级)
研
究
原厂倾力扩产,HBM会过剩吗?——HBM深一年内行业相对大盘走势
度研究一电子沪深300
0.10
投资要点:0.02
-0.066/128/2411/51/173/306/11
➢近片存储成就高带宽,有限空间依赖堆叠封装。近存计算的HBM需-0.14
要通过2.5D/3D封装纵向延伸,通过TSV将多个DDR颗粒、逻辑Die-0.22
连接。单颗HBM颗粒的位宽已达1024-bit,为GDDR5的32倍。以-0.30
H100为例,其内部拥有6个HBM堆栈,单堆栈为8个堆叠,一个堆
团队成员
行叠为2GB。总容量为96GB(6*8*2),考虑内存损耗,表观容量为
分析
业80GB。HBM的价格约为DDR5的五倍,对应每GB约15美元,因此师:徐巡(S0210524060004)
深一张H100中HBM价值量约1500美元。
度联系
研➢供给测算:产能持续紧缺,24/25年有望进入放量期。三星/海力士份人:谢文嘉(S0210124040078)
究
额领先,合计份额约为95%。美光则跳过HBM3,直接专注开发
HBM3E产品。三大原厂均在加码提升HBM产能,竭力弥补产能空相关报告
缺。三大原厂均表示,公司24年的HBM供应能力已全部耗尽,而1、【华福电子周报:WWDC2024即
25年产能亦基本售罄。(1)海力士预计24年HBM产能同比增加一将揭幕,关注AI终端创新机遇——2024.06.10
2、WWDC在即,AI的”iPhone“时刻即将到来
倍以上,预计其30年HBM出货量将达到每年1亿颗。(2)三星预计——消费电子系列跟踪——2024.06.09
公司24/25年产能同比增加2.9/2倍,28年出货年比2023年高23.13、设备板块机遇持续重视,SIAWSTS指引24
倍。(3)美光预计24财年有望从HBM获得数亿美元的收入,HBM
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