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第七章光电式传感器
本章主要内容:
光电式传感器是依据光电效应、利用光电器件将光学量转换成电学量的传感器。本章在阐述光电效应原理的根底上,介绍光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏二极管和晶体管等光电器件。要求初步了解光电式传感器的原理及应用。
第一讲光电效应和光电元件
第一讲光电效应和光电元件
教学目的要求:1.把握光波长与光子能量的关系、外光电效应及其两个根本概念。
把握内光电效应、光导效应原理,了解光敏电阻的构造;把握光敏电阻的工作原理、灵敏度与暗亮电阻的关系和光电特性的特点。
把握光敏二极管和晶体管的构造、工作原理及光电特性。
把握硒、硅光电池的构造、工作原理、光电特性。
把握光电耦合器件的工作原理与应用。
教学重点:各光电元件的构造原理教学难点:光电元件的特性参数教学学时:4学时
教学内容:
一、光电效应
外光电效应
定义:在光线作用下,电子获得光子的能量从而脱离正电荷的束缚,使电子逸出物体外表,这种效应称为外光电效应,这种现象称为光电放射。
光电效应的根本规律:
hv?A
0
1mV2
2 0
说明:〔1〕电子能否逸出物体外表取决于光子频率v,与光强无关,光强再大也不会产生光电放射。
〔2〕假设产生了光电放射,在入射光频率不变的状况下,逸出的电子数目与光强成正比。
光电阴
光
电阴
极
阳
极
〔a〕
(b)
图7-2光电管的构造及工作原理
2〕光电管的主要性能指标
〔1〕光电管的伏安特性
光电管的伏安特性是指在肯定的光通量
照耀下,其阳极与阴极之间的电压UA与光电流I之间的关系。
φ=0.1lm
φ=0.05lm
φ=0.02lm
定义:物体受光照耀后,其内部的原子释放出电子,这些电子仍留在物体内部,使物体的电阻率发生变化或产生光电动势的现象称为内光电效应。
分类:内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。
二、光电元件
光电管
1〕光电管的构造及工作原理
构造:阴极,阳极和玻璃壳
原理;当入射光照耀在阴极上时,阴极就会放射电子,由于阳极的电位高于阴极,在电场力的作用下,阳极便收集到由阴极放射出来的电子,因此,在光电管组成的回路中形成
了光电流I,并在负载电阻RL上输出电压Uo。
图7-3 光电管的伏安特性
入射光RI
入射光
R
IA
5
RL
U
OUT
阴极K
第一
倍增级
D4
R4
D3
其次
倍增级
R
第三
倍增级
3
D
2
R2
第四
倍憎极
D1
阳极A
光电管的光谱特性通常是指阳极和阴极之间所加电压不变时,入射光的波长〔或频率〕与其确定灵敏度的关系。它主要取决于阴极材料,不同阴极材料的光电管适用于不同的光谱范围。
光电管的光照〔电〕特性
光照〔电〕特性是指光电管阳极电压和入射光频谱不变的条件下,入射光的光通量与光电流之间的关系。
光电管的暗电流
假设将光电管置于无光的黑暗环境中,当施加正常的使用电压时,光电管将产生微弱的电流,此电流称为暗电流。光电管的暗电流
主要是由漏电流引起的。
光通量(lm)
图
7-4光电管的光电特性
光电倍增管
1〕光电倍增管的构造和工作原理
构造:光电倍增管由光阴极、次阴极〔倍电极〕以及阳极三局部组成,其构造如图7-5
所示。光阴极由半导体材料锑铯制成;次阴极是在镍或铜-铍衬底上涂锑铯材料而形成的,通常为12~14级,多者达30级;阳极是最终用来收集电子的,它输出的是电压脉冲。
原理:利用倍增极产生二次放射使光电流放大。
(b)
图7-5光电倍增管的构造及电路
2〕.光电倍增管的主要参数和特性
〔1〕光电倍增管的倍增系数与工作电压的关系
光电倍增管假设倍增极的二次电子放射系数为?,则具有n个一样倍增极的光电倍增管
的倍增系数为
M??n
因此阳极电流为
I ?I?nA K
式中,IK——光阴极的光电流此光电倍增管的电流放大倍数为
I
??
光电倍增管的伏安特性
A??n
I
K
I
IA(mA)
100ulm
80ulm
60ulm
40ulm20ulm
UAD(V)
图7-7 光电倍增管的伏安特性 图7-8 光电倍增管的光电特性
光电倍增管的光电特性
光电倍增管的暗电流
光敏电阻
1〕.光敏电阻的构造和工作原理
制作工艺:在玻璃基片上镀光敏材料,外掩盖漆膜〔对应光谱特性的滤光材料〕
金属电极
I
电极引线半导体E
电
极引
线
半导体
RL RG
玻璃底板
(b) (c)
(a)光敏电阻构造;(b)光敏电阻电极;(c)光敏电阻接线图图7-9光敏电阻构造
I(uA)硫化镉
I(uA)
硫化镉
max
硫化铊
硫化铅
λ(um)
φ(lm)
图7.10 硒光敏电阻的光电特性
图7.11光敏电阻的光谱特性
I(uA
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