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巨磁阻效应及其传感器的原理和应用

一、概述

对于物质磁电阻特性的研究由来已久，早在20世纪40年代人们就发现了

磁电阻效应。所谓磁电阻是指导体在磁场中电阻的变化，通常用电阻变化率Δr/r

描述。研究发现，一般金属导体的Δr/r很小，只有约10-5%；对于磁性金属或合

金材料（例如坡莫合金），Δr/r可达（3~5）%。所谓巨磁电阻（GMR）效应，

是指某些磁性或合金材料的磁电阻在一定磁场

作用下急剧减小，而Δr/r急剧增大的特性，一

般增大的幅度比通常的磁性与合金材料的磁电

阻约高10倍。利用这一效应制成的传感器称为

GMR传感器。

1、分类

GMR材料按其结构可分为具有层间偶

合特性的多层膜（例如Fe/Cr）、自旋阀多层膜

（例如FeMn/FeNi/Cu/FeNi）、颗粒型多层膜

（例如Fe-Co）和钙钛矿氧化物型多层膜（例如

AMnO3）等结构；其中自旋阀（spin

valve）多层膜又分为简单型和对称型两

类；也有将其分为钉扎(pinning)和非钉扎型两类

的。

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2、巨磁电阻材料的进展

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1986年德国的Grunberg和C.F.Majkrgak等人发现了Y/Gd、Y/Dy和

Fe/Cr/Fe多层膜中的层间偶合现象。1988年法国的M.N.Baibich等人首次在纳米

级的Fe/Cr多层膜中发现其Δr/r在4.2K低温下可达50%以上，由此提出了GMR

效应的概念，在学术界引起了很大的反响。由此与之相关的研究工作相继展开，

陆续研制出Fe/Cu、Fe/Ag、Fe/Al、Fe/Au、Co/Cu、Co/Ag、Co/Au……等具有

显著GMR效应的层间偶合多层膜。自1988年发现GMR效应后仅3年，人们便

研制出可在低磁场（10-2～10-6T）出现GMR效应的多层膜（如

[CoNiFe/CoFe/AgCu/CoFe/CoNiFe]n）。

1992年人们利用两种磁矫顽力差别大的材料（例如Co和Fe20Ni80）制成

Co/Cu/

Fe20Ni80/Cu多层膜，他们发现，当Cu层厚度大于5nm时，层间偶合较

弱，此时利用磁场的强弱可改变磁矩的方向，以自旋取向的不同来控制膜电阻的

大小，从而获得GMR效应，故称为自旋阀。

与此同时，1992年A.E.

Berkowitz和Chien等人首次发现了Fe、Co与Cu、Ag分别形成二元合金

颗粒膜中的磁电阻效应，在低温下其Δr/r可达（40~60）%。随后陆续出现了Fe-Ag、

Fe-Cu、CoxAg1-x/Ag等颗粒多层膜。

1993年人们在钙钛矿型稀土锰氧化物中发现了比GMR更大的磁电阻效

应，即colossalmagneto-

resistance（CMR）庞磁电阻效应，开拓了GMR研究的新领域。

GMR效应的理论是复杂的，许多机理至今还不清楚；对于这些理论也分

为层间交换偶合（IEC）、磁性多层膜的GMR、隧道磁电阻（TMR）等类型，详

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情可参阅有关文献。