2光电器件讲解.ppt

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光电效应和光电器件光电管1.光电器件二、光电管是一种具有悠久历史的光传感器。它是一个装有光电阴极和阳极的真空玻璃管,其种类有很多种,如图5-2所示。图5-2(a)中,光电阴极是在玻璃管内壁涂上阴极涂料构成的;图5-2(b)中,光电阴极是在玻璃管内装入涂有阴极涂料的柱面形极板构成的。图5-2光电管的结构光电效应和光电器件光电管的光照特性是指光电管两端所加电压不变时,光能量Φ与光电流I之间的关系。如图5-3所示,对于氧铯阴极的光电管,I与Φ成线性关系;但对于锑铯阴极的光电管,当光通量较大时,I与Φ成非线性关系。图5-3光电管的光照特性光电效应和光电器件光电管的光谱特性主要取决于光电阴极的材料。不同的阴极材料对同一种波长的光有不同的灵敏度;同一种阴极材料对不同波长的光也具有不同的灵敏度。这可用光谱特性来描述。光谱特性又称频谱特性,图5-4所示为光电管的光谱特性。图5-4光电管的光谱特性光电效应和光电器件光电管的伏安特性是指在一定的光通量照射下,光电流与光电管两端的电压关系。如图5-5所示,在不同的光通量照射下,伏安特性是几条相似的曲线。当极间电压高于50V时,光电流开始饱和,所有的光电子都达到了阳极。真空光电管一般工作于饱和部分,内阻高达几百兆欧。图5-5光电管的伏安特性光电效应和光电器件光电倍增管2.在光照很弱时,光电管所产生的光电流很小,为了提高灵敏度,常应用光电倍增管,其积分灵敏度可达每流明几安培。光电倍增管的工作原理建立在光电发射和二次发射的基础上,光电倍增管的结构如图5-6所示。图5-6光电倍增管的结构光电效应和光电器件在玻璃管内除装有光电阴极和光电阳极外,还装有若干个光电倍增极。光电倍增极上涂有在电子轰击下能发射更多电子的材料,光电倍增极的形状及位置设置得正好能使前一级倍增极发射的电子继续轰击后一级倍增极,在每个倍增极间均依次增大加速电压。光电倍增管的主要特点是灵敏度高,稳定性好,响应速度快和噪声小;缺点是结构复杂,工作电压高,体积大。它是电流放大元件,具有较高的电流增益,特别适用于微弱光信号的探测。其倍增率为δn,其中δ为单极倍增率,大小一般为3~6;n为倍增极数,一般为4~14。光电效应和光电器件光敏电阻3.光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线,将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻。为了增加灵敏度,两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极,接出引线,封装在具有透光镜的密封壳体内,以免受潮影响其灵敏度。光电效应和光电器件在黑暗环境里,它的电阻值很高,当受到光照时,只要光子能量大于半导体材料的禁带宽度,则价带中的电子吸收一个光子的能量后可跃迁到导带,并在价带中产生一个带正电荷的空穴,这种由光照产生的电子空穴对增加了半导体材料中载流子的数目,使其电阻率变小,从而造成光敏电阻阻值下降。光照越强,阻值越低。入射光消失后,由光子激发产生的电子空穴对将复合,光敏电阻的阻值也就恢复原值。在光敏电阻两端的金属电极加上电压,其中便有电流通过,受到一定波长的光线照射时,电流就会随光强的增大而变大,从而实现光电转换。光敏电阻没有极性,纯粹是一个电阻器件,使用时既可加直流电压,也加交流电压。半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。光电效应和光电器件光敏电阻根据其光谱特性,可分为以下三种:(1)紫外光敏电阻。紫外光敏电阻对紫外线较灵敏,包括硫化镉光敏电阻、硒化镉光敏电阻等,用于探测紫外线。(2)红外光敏电阻。红外光敏电阻主要有硫化铅、碲化铅、硒化铅、锑化铟等光敏电阻,广泛用于导弹制导、天文探测、非接触测量、人体病变探测、红外光谱,红外通信等国防、科学研究和工农业生产中。(3)可见光光敏电阻。可见光光敏电阻包括硒、硫化镉、硒化镉、碲化镉、砷化镓、硅、锗、硫化锌等光敏电阻,如图5-7所示为硫化镉光敏电阻的结构和符号。光电效应和光电器件光敏电阻主要用于各种光电控制系统,如光电自动开关门窗,航标灯、路灯和其他照明系统的自动亮灭,自动给水和自动停水装置,机械上的自动保护装置和位置检测器,极薄零件的厚度检测器,照相机自动曝光装置,光电计数器,烟雾报警器,光电跟踪系统等方面。图5-7硫化镉光敏电阻的结构和符号1—光导层;2—玻璃窗口;3—金属外壳;4—电极;5—陶瓷绝缘玻璃;6—绝缘玻璃;7—电极引线光电效应和光电器件光电池4.光电池是一种利用光生伏特效应把光直接转换成电能的半导体光电器件,如图5-8所示。它实质上是一个大面积的PN结,当光照射到P

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