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利用泡克耳斯效应实现电光调制可以分为两种情况。
一种是施加在晶体上的电场在空间上基本是均匀的．但在时间上是变化的．当一束光通过晶体之后，可以使一个随时间变化的电信号转换成光信号，由光波的强度或相位变化来体现要传递的信息，这种情况主要应用于光通信、光开关等领域。
一种是施加在晶体上的电场在空间上有一定的分布，形成电场图像，即随X和y坐标变化的强度透过率或相位分布，但在时间上不变或者缓慢变化，从而对通过的光波进行调制，在后面介绍的空间光调制器就属于这种情况。本节先讨论前一种情况的电光强度调制。;1.纵向电光调制（通光方向与电场方向一致）;或采用复数表示，
即Ex’(0)=Aexp(iωct)
Ey’(0)=Aexp(iωct)
由于光强正比于电场的平方，因此，入射光强度为;那么，通过检偏器后的总电场强度是Ex’(L)和Ey’（L）在y方向的投影之和，即;上式中的T称为调制器的透过率。根据上述关系可以画出光强调制特性曲线,如图5所示。由图可见，在一般情况下,调制器的输出特性与外加电压的关系是非线性的。;若调制器工作在非线性部分,则调制光将发生畸变。
为了获得线性调制，可以通过引入一个固定的／2相位延迟，使调制器的电压偏置在T＝50％的工作点上。常用的办法有两种：;式中，△φm=?Um/U?（相当于25式中的△φ）是相应于外加调制信号最大电压Um的相位延迟。其中Umsinωmt是外加调制信号电压。;因此，调制的透过率可表示为
（7)
利用贝塞尔函数恒等式将上式展开，得
（8)
由此可见，输出的调制光中含有高次诣波分量，使调制光发生畸变。
为了获得线性调制，必须将高次谐波控制在允许的范围内。;设基频波和高次谐波的幅值分别为I1和I2n+1,则高次谐波与基频波成分的比值为
(9)
若取＝1rad，则J1(1)=0.44,J3(1)=0.02,所以I3/I1=0.045，即三次谐波为基波的4.5%。在这个范围内可以获得近似线性调制，因而取
(10)
作为线性调制的判据。此时代入（8)式得
(11);此外,在28式中sin(△φmsinωmt)的△φm若远远小于1，则(8)式也变为:;2．横向电光调制（通光方向与电场方向垂直）
物理光学已经讲过，横向电光效应可以分为三种不同的运用方式：
(1)沿z轴方向加电场，通光方向垂直于z轴，并与x或y
轴成45o夹角(晶体为45o-z切割)。
(2)沿x方向加电场(即电场方向垂直于x光袖)，通光方向
垂宜于x轴，并与z轴成45o夹角(晶体为45o-x切割)。
(3)沿y轴方向加电场，通光方向垂直于y轴，并与z轴成
45o夹角(晶体为45o-y切割）。
以下
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