薄膜材料之氮化硅薄膜的PECVD生长介绍.pptVIP

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2024-07-25 发布于北京
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薄膜材料之氮化硅薄膜的PECVD生长介绍.ppt

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PECVD法生长氮化硅薄膜PECVD介绍氮化硅薄膜介绍生成环节介绍主要内容：薄膜制备方式物理气相沉积(PVD)化学气相沉积(CVD)磁控溅射镀膜离子束溅射镀膜脉冲激光沉积镀膜薄膜制备方式常压CVD低压CVDPECVD激光增强CVDCVD介绍一种利用化学反应方式,将反应物(气体)生成固态的产物,并沉积在基片表面的薄膜沉积技术.PECVD的介绍等离子体增强化学气相沉积，是利用辉光放电的物理作用来激活粒子的一种化学气相沉积反应，是集等离子体辉光放电与化学气相沉积于一体的薄膜沉积技术.氮化硅薄膜的介绍：用途:在微电子材料及器件生产中,作为钝化膜、绝缘层和扩散掩膜;在硅基太阳能电池中,用作钝化膜和减反射膜以提高太阳电池的使用效率;在硅基发光材料中，作为硅纳米团簇的包埋母体等。高介电常数、高绝缘强度、漏电低、抗氧化特点：氮化硅薄膜的制备方法硅的氮化法高温热化学气相沉积法常压化学气相沉积低压化学气相沉积法等离子体增强化学气相沉积光化学气相沉积离子束增强沉积磁控反应溅射法PVDCVD为什么要用PECVD？用PECVD技术制备的氮化硅薄膜,具有沉积温度低、均匀性好、台阶覆盖性强的优点。这是目前唯一能在低温条件下生长氮化硅的CVD工艺300~600K高温对氮化硅薄膜制备工艺的影响：高温不仅会使基板变形，而且基板中的缺陷会生长和蔓延，从而影响界面性能PECVD制膜的优点：均匀性和重复性好，可大面积成膜；可在较低温度下成膜；台阶覆盖优良；薄膜成分和厚度易于控制；适用范围广，设备简单，易于产业化生成氮化硅薄膜的反应如下：薄膜分子热运动设备直接法生长设备间接法生长设备