线天线是最常用的天线形式之一2.docx

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1引言

线天线是最常用的天线形式之一,大到飞机、舰船,小到手机等移动通信设备都能见到线天线的使用,因此准确的分析线天线的电磁特性具有重要的实际意义。

基于电场积分方程的矩量法能够准确的分析线天线的电磁特性。常见的线天线形式主要有偶极子天线和单级子天线两种,本文将分别对这2种天线形式进行研究。在分析线天线的问题时,通常将线天线作为一维分段模型加以研究,假设电流只沿天线的轴向方向流动,在横向方向上没有电流分布。在实际情况中,当天线的半径较小时,横向电流可以忽略不计,但当半径较大时,横向电流将不可忽略不计,此时,电流分布已不能近似为沿轴向方向的流动。

在用矩量法分析线面连接的问题时,通常需要构造三类基函数,分别是线元之间,面元之间线元与面元之间。三类基函数的构造给分析和计算带来了较大的麻烦。部分文献给出了一种用解析法描述天线结构的例子并受到了较大的关注。本文采用这种方法,建立金属细带模型模拟线天线的结构,导体面和金属细带模型均通过RWG边元对其剖分,将线面连接问题转化为面面连接问题,给分析和计算带来了较大的方便。在此基础之上,分析了偶极子天线的散射特性与辐射特性,并对较少受关注的近场场强进行了计算。随后,对有限平面上的单根大功率单极子天线进行了仿真,给出了单极子天线的输入阻抗,并引入了组合单极子模型进行比较,分析两种模型下的近场场强与方向性图。

2理论分析

电磁散射理论分析

对于电磁散射问题,假设有一入射场Ei照射在某理想导体表面产生感应电流J。Es为J在自由空间的辐射场,n为理想导体表面外法线单位矢量。Es可由下式表示:

Es??j?A??? (1)

其中,

A(r)?

? e?jkR

?J ds

?

4?

s

?(r)? 1 ??

R

e?jkR

ds

4?? R

s

??式中,k?? ?2?/?;R?|r?r|是空间中任一位置场点的位置矢量r

??

与导体表面上源点的位置矢量r′的距离;σ为表面电流密度。其与J的关系可通过下式表示:

??J??j?? (2)

s

根据理想导体的边界条件n?(Ei?Es)?0,得到

Es

tan

?(j?A???)

tan

(3)

采用矩量法计算电场积分方程时,导体表面采用平面三角形面元进行剖分,基函数选择如图1所示的RWG基函数,导体表面电流J可表示为:

J??NI

n

n?1

f(r) (4)

n

?2A???

?2A?

?

n

n

? l ??

r?T?

n

r?T?

(5)

f(r)?? n n

n ?2A? n

?0

?0

? 其他

?

图1RWG基函数

其中,N为未知量总数;In为待求电流密度系数。用伽略金法检验后,按照矩量法的标准形式得到矩阵方程:

[Z ][I

mn m

]=[V

m

] (6)

当确定[Z

mn

]和[V

m

]后,可通过求解矩阵方程得到[I

m

]。结合电

场积分方程,可得出Z 和V

mn m

的表达式如下:

? ?c? ?c? ?

Z ?l

?j?(A??n

A??n

)??????

? (7)

mn m?

?

mn

?c?

2 mn 2

?c?

?

m mn?

(8)

V ?l(E?m ?E?m)

m m m 2 m 2

式中,

A? ? ??

mn 4?

s

f(r)

n

jkR?

em

e

R?

m

ds

?? ??

mn

1

4?j??

?? f

s n

s

(r)

jkR?

em

e

R?

m

ds

R??|rc??r|

m m

E??Ei(rc?)

m m

式(4)~式(8)中,r为场点坐标;r′为源点坐标;m、n对应于2

个边元;rc?为边元m的2个三角T?的中心点,?c?分别是边元m的2个三

m m m

角T?的自由顶点到中心点的矢量。

m

电磁辐射理论分析

当我们考虑线天线的辐射模式时,激励源将由入射波变为电压源,需要将馈电模型引入天线结构以便考虑电压源的影响。在实际工程中,有多种方式设置激励源,其中较为常用的是由传输线通过两个靠近的端子馈电。对于这种激励模式,可以很好的用δ函数缝隙电压源模型进行模拟。当用缝隙电压源激励时,假设缝隙宽度可以忽略不计,则缝隙内的电场可以用δ函数近似表示为:

E?V?nAC

0

式中,V

0

为外加加压;n为电场方向。

将间隙与边元结构的内部边m联系起来,对应此内部边只有一个RWG

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