第七章半导体界面问题-半导体界面问题概要.ppt

*********SemiconductorPhysics**1938年，W.Schottky提出了基于整流二极管的理论，称为肖特基二极管理论。这一理论以金属和半导体功函数差为基础。要定量讨论I-V特性,必须讨论电子是怎样越过势垒的.两种近似模型:?扩散理论—势垒区较厚,制约正向电流的主要是电子在空间电荷区的扩散过程?热电子发射理论—载流子的迁移率较高,电子能否通过势垒区,主要受制于势垒高度.SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**②热电子发射理论的结果?其中?有效里查孙常数(书上,表7-4)SemiconductorPhysics**n为理想因子，I0为与不依赖电压的部分，非理想效应用n的取值来反映，n通常取1.0-1.21）其中I0通过外推得到。2）可以从以前的式子得到势垒高度，在分析中势垒降低必须考虑。3）n从曲线斜率得到。SemiconductorPhysics**★肖特基势垒二极管(SBD)p-n结二极管肖特基势垒二极管SemiconductorPhysics**?肖特基势垒二极管是多子器件,有优良的高频特性.一般情况下,不必考虑少子的注入和复合.?肖特基势垒二极管有较低的正向导通电压.反向击穿电压较低,反向漏电较高.?肖特基势垒二极管具有制备上的优势.SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**★欧姆接触欧姆接触是金属-半导体接触的另一个重要应用—作为器件引线的电极接触(非整流接触).欧姆接触的要求:接触电阻应小到与半导体的体电阻相比可以忽略(不影响器件的电学特性).欧姆接触的实现:主要方法是对接触处的半导体高掺杂,利用隧道效应,得到很小的接触电阻SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**********************SemiconductorPhysicsSemiconductorPhysicsSemiconductorPhysics**第六章半导体界面问题概要§1金属-半导体接触和肖特基势垒§2肖特基二极管及其I-V特性§3半导体表面电场效应§4理想MOS结构§5MOS结构的C-V特性§6MOS结构中的其它效应§7异质结SemiconductorPhysics**§1金属-半导体接触和肖特基势垒(1)???金属和半导体的功函数(2)???金属-半导体接触电势差(3)表面态对接触势垒的影响SemiconductorPhysics**金属/半导体接触和肖特基势垒M/S接触（Contact）为金属（M）与半导体（S）接触形成的基本结构，通常形成肖特基势垒(ShottkyBarrier)，称为肖特基接触。影响肖特基势垒的因素有：金属和半导体的功函数、金属感应的镜像电荷产生的镜像势、界面的陷阱态能级及其密度等。由此形成的结称为肖特基二极管，可作为整流结（肖特基势垒）器件使用。在特定的条件下M/S接触也可形成欧姆型接触。欧姆接触，可为半导体器件之间的连接提供的低阻互连。SemiconductorPhysics**M/S接触的形成M/S结构通常是通过在干净的半导体表面淀积金属而形成。利用金属硅化物（Silicide）技术可以优化和减小接触电阻，有助于形成低电阻欧姆接触。SemiconductorPhysics**★金属和半导体的功函数功函数:W=EVAC-EF,(EVAC--真空中静止电子的能量,亦记作E0)功函数给出了固体中EF处的电子逃逸到真空所需的最小能量.SemiconductorPhysics**金属功函数?ZSemiconductorPhysics**关于功函数的几点说明:①对金属而言,功函数Wm可看作是固定的.功函数Wm标志了电子在金属中被束缚的程度.对半导体而言,功函数