第五章p-n结的电流电压特性.ppt

*****************SemiconductorPhysics**锗与理论符合较好，但硅等较宽禁带半导体PN结偏差较远实际反偏P-N结直流特性的补充说明P-N结反向扩散电流P-N结反偏时，V0，此时势垒边界处的非平衡少子浓度比平衡时小，势垒有抽取非平衡少子的作用，扩散电流方向是体内向边界处扩散。当V不变时，边界处非平衡少子的浓度一定，形成稳态扩散。当反偏绝对值足够大时，势垒边界处的非平衡少子几乎被抽取光了，此时边界少子浓度为零，与体内少子浓度的梯度不再随外加反向偏压的变化而变化，即反向电流趋于饱和。P-N结反向势垒产生电流在反向偏压时，实际测得的反向电流比理论计算值大得多，而且反向电流是不饱和的，随反向偏压的增大略有增加。这说明理想电流电压方程式没有完全反映外加电压下的P-N结情况，还必须考虑其他因素的影响。其中的主要因素是存在反向势垒产生电流。反偏时，势垒区内的电场加强，在势垒区内，由于热激发的作用，载流子产生率大于复合率，具有净产生，从而形成另一部分反向电流，称为势垒区的产生电流，以IG表示。若P-N结势垒区宽度为Xm，则势垒区产生电流密度为由式（2-16）得P+-N结反向扩散电流密度为（1）（2）锗的禁带宽度小，ni2大，在室温下从式（1）算得的JRD比从式（2）算得的JG大得多，所以在反向电流中扩散电流起主要作用。硅，禁带宽度比较宽，ni2小，所以JG的值比JRD值大得多，因此在反向电流中势垒产生电流占主要地位。由于势垒区宽度Xm随反向偏压的增加而变宽，所以势垒区产生电流不是饱和的，随反向偏压增加而缓慢地增加。表面对反向漏电流的影响

主要表现在以下三个方面表面漏电流。P-N结沟道漏电流。表面复合电流。表面漏电流实际生产中表面漏电流可能比体内电流大很多。在P-N结的生产过程中，硅片表面很可能沾污一些金属离子（如钠离子）和水汽分子，这些金属离子和水汽分子相当于在半导体表面并联了一个附加的电导，它可以使电流从N区电极沿半导体表面直接流到P区的电极，从而引起反向漏电流的增加。如果表面沾污严重的话，由此引出的表面漏电流可能比势垒产生电流大得多，从而成为反向漏电流的主要成分。P-N结沟道漏电流硅平面器件通常是用二氧化硅层作保护的，一方面可以提高器件的稳定性和可靠性，另一方面也可以减小反向漏电流。但如果二氧化硅层质量不好的话，会使半导体表面出现反型，形成反型沟道。（具体内容还会在本书第七章作详细介绍。）反型沟道的存在相当于增大了P-N结的结面积，即势垒区面积增大，从而使势垒产生电流增大。表面复合电流半导体存在一些具有复合中心作用的能级，一部分少数载流子将在表面通过这些复合中心能级复合掉，从而导致反向电流的增加。综上所述，P-N结的反向电流包括体内扩散电流、势垒产生电流和表面漏电流三种成分。在实际P-N结二极管中，往往是表面漏电流占了主要地位。因此，在生产过程中，如何减小表面漏电流成了一个重要问题，通常可以从以下三个工艺角度加以考虑。①所选用的材料尽量避免掺杂不均匀、位错密度过高和含有过多的有害杂质；②避免氧化层结构疏松和光刻中的针孔、小岛等问题；③注意工艺洁净度，如去离子水和化学试剂的纯度，特别应该注意减小钠离子的沾污。P-N结击穿实验发现，对P-N结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始增大，此现象称为P-N结击穿。SemiconductorPhysics**★p-n结击穿对p-n结施加反向偏压时,当反向偏压增大到某一数值时,反向电流密度突然开始迅速增大.发生击穿时的反向偏压--p-n结的击穿电压.p-n结击穿的基本原因:载流子数目的突然增加.SemiconductorPhysics**发生P-N结击穿的机理

主要有以下几种雪崩击穿隧道击穿热电击穿(热击穿)SemiconductorPhysics**击穿机理:雪崩击穿—强电场下的碰撞电离,使载流子倍增隧道击穿—大反向偏压下,隧道贯穿使反向电流急剧增加热电击穿—不断上升的结温,使反向饱和电流持续地迅速增大雪崩击穿当反向偏压很大时，势垒区中的电场