第四章电磁场中的输运现象-.ppt

**************************在导体内：自由移动的电子在半导体中：电子或空穴在电解液中：正、负离子气体中：正、负离子，或自由电子。********在导体内：自由移动的电子在半导体中：电子或空穴在电解液中：正、负离子气体中：正、负离子，或自由电子。************在导体内：自由移动的电子在半导体中：电子或空穴在电解液中：正、负离子气体中：正、负离子，或自由电子。*在导体内：自由移动的电子在半导体中：电子或空穴在电解液中：正、负离子气体中：正、负离子，或自由电子。***SemiconductorPhysics**纵声学波造成原子分布疏密变化纵光学波形成空间带正,负电区域SemiconductorPhysics**③光学波散射:(非弹性散射)，?对极性半导体,长纵光学波有重要的散射作用.（与极性光学波形变势相联系）当温度较高,有较大的光学波散射几率晶格振动散射有N个原胞的晶体有N个格波波矢q一个q=3支光学波(高频)+3支声学波(低频)振动方式:3个光学波=1个纵波+2个横波3个声学波=1个纵波+2个横波格波的能量效应以hνa为单元-----声子特点：各向同性。a、声学波散射：Ps∝T3/2b、光学波散射：Po∝1/(exp（hv/k0T）-1)格波散射几率Pc当长声学波和长光学波散射作用同时存在时,晶格振动对载流子的总散射概率应为以上两种散射之和.说明:在共价结合的元素半导体中,长声学波散射作用是主要的,在极性半导体中长光学波散射是主要的.SemiconductorPhysics**★其他因素引起的散射等同能谷间的散射--电子与短波声子发生相互作用例如在硅的导带中存在具有极值能量相同的6个旋转椭球面（锗有四个），载流子在这些能谷中分布相同，这些能谷成为等同的能谷；多能谷半导体中载流子从一个极值附近散射到另外一个极值附近，这种散射称为谷间散射。SemiconductorPhysics**★其他因素引起的散射中性杂质散射低温下，或者没有电离的杂质呈电中性，电中性杂质对周期势的微扰产生的散射。存在于重掺杂半导体和低温条件下。位错散射存在于高位错半导体中。合金散射：存在于化合物半导体的混合晶体中；表面散射表面电荷，表面粗糙度，表面声子（高K栅介质器件）载流子散射：强简并半导体中；SemiconductorPhysics**§3关于迁移率的讨论(1)???迁移率的表达式(2)??迁移率随杂质浓度,温度的变化(3)迁移率与电场的关系(4)多能谷散射SemiconductorPhysics**★迁移率的表达式不考虑载流子速度的统计分布①迁移率和平均自由时间τ散射几率P和平均自由时间τ是描述散射的两个重要参量?散射几率P--单位时间内一个载流子受到散射的次数?平均自由时间τ—相邻两次散射之间的平均时间间隔τ=1/PSemiconductorPhysics**漂移速度是一统计平均量根据动量与冲量的关系有：vd=(e?/m*)ε,又:vd=με即:电子迁移率空穴迁移率电导率σ=neμ-+peμ+SemiconductorPhysics**以上讨论应用的是简化模型,作了两个简化假设:?不考虑载流子速度的统计分布?认为散射是各向同性的并且,前面得到的迁移率表达式中,有效质量是各向同性的迁移率定义为：在单位电场作用下，载流子获得的平均定向运动速度，反映了载流子在电场作用下的输运能力。是半导体物理中重要的概念和参数之一。SemiconductorPhysics**②电导有效质量?回