第七章半导体界面问题3-理想MOS结构.ppt

*SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**当绝缘层中有分布电荷,则有:其中,氧化层中总有效电荷面密度实际MOS结构的阈值电压:VT=VT1+VFBVT1=VOX+VS=-(QdM/COX)+2VBVFB=-VMS-(QOX/COX)3）掺杂浓度、氧化层厚度、温度对C-V特性影响掺杂浓度提高，高频反型电容会大大增加，耗尽偏置区将大大展宽。曲线上表现为电容下降的耗尽范围从1V左右扩展到2V以上，反型区域最小电容值按（倍/数量级）增加，呈底部抬高之势。而无曲线平移，且积累区电容固定，各掺杂浓度重叠一致。如图所示为不同P型掺杂浓度对MOS电容高频C-V特性影响。温度对C-V特性影响如图所示，它对反型偏置电容有中等敏感度，其他区域则基本上不随温度变化。氧化层厚度增加也会使耗尽偏置区展宽，并使高频反型电容升高，形式与掺杂一致，主要由于展厚氧化层将分担更大比例电压所致。***********************SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**★低频（准静态）C-V特性总结一下低频情形下的电容随栅压变化特征，其中不考虑随栅压变化频率对Si中感应的载流子的产生和复合的影响（准静态情形）。①VG0,VS0,表面积累CSC很大,(C/Cox)→1,MOS结构的电容呈现为Cox。SemiconductorPhysics**②VG=0,VS=0表面平带 在平带电压（VFB）处不存在电荷，但是施加很小的电压，就会在德拜长度范围内产生电荷。换句话说，平均电荷不会恰好在氧化层下表面产生，而是在离氧化层下表面德拜长度内。因此在VFB处的电容为氧化层电容Cox和Si电容Cs的串联电容。SemiconductorPhysics**③VG0,0VS2VB表面耗尽SemiconductorPhysics**④VGVT,VS2VB,表面强反型,CSC很大,(C/Cox)→1阈值电压(开启电压)[半导体表面刚达到强反型时所加的栅压]VT=VOX+VS=-(Qdm/COX)+2VBQdm=-eNAdm一旦反型层（Inversion）形成，电容开始增加，Si电容逐渐开始转变为主要由反型层电荷随表面势的变化决定。（100）硅，掺杂ND=9.1×1014/cm3Xox=0.119μm，高频（1MHz）和低频（准静态）条件下实际测得C-V特性曲线。分情况讨论略。理想MOS的C-V特性曲线SemiconductorPhysics**MOS结构的C-V特性SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**⑤掺杂,氧化层厚度对C-V曲线的影响:掺杂越大,or/and氧化层厚度dox越大?CFB/COX越大?VT越大—极值右移?CdM越大—极值上移SemiconductorPhysics**★高频C-V特性?表面积累,表面耗尽,高低频特性一样?VGVT,VS2VB,表面强反型,高频时,反型层中电子的增减跟不上频率的变化,空间电荷区电容呈现的是耗尽层电容最小值?MOS结构的电容也呈现最小值不再随偏压VG呈现显著变化SemiconductorPhysics**反型层电荷主要由少数载流子决定，在低频时，它随电场的变化而变化，反型电容起重要作用。当频率高于某一频率值时，反型层电荷（少子电荷）将不能交变信号，即少子的产生复合的速度跟随不上电场频率的变化，于是反型层电荷将不随交变电场变化，这意味着与反型层电荷相关的交变电容为0。假设少子的响应时间由少数载流子产生－复合电流决定。在响应时间内，要能够产生足够的少子补偿耗尽层电荷的作用SemiconductorPhysics**则响应时间为：该值的典型值为：0.1~10秒。因此，当交变电压信号的频率高于100Hz时，反型层电荷将跟不上栅压的变化，只有耗尽电荷