第七章半导体界面问题4-MOS结构的阈值电压.ppt

SemiconductorPhysics**3、异质结的应用异质结的主要应用之一是形成量子阱。它由两个异质结背对背相接形成的。异质结的主要应用之二是形成超晶格。它由异质结交替周期生长形成。超晶格是Esaki和Tsu在1969年提出的。Esaki等提出的超晶格有两类：1）同质调制掺杂；2）异质材料交替生长。超晶格或多量子阱间的共振隧穿效应SemiconductorPhysics**本章-书上第七章部分内容√§7.1金属半导体接触及其能级图§7.2金属半导体接触整流理论√整流作用的定性描述2.热电子发射理论√热电子发射理论的结果√4.肖特基势垒二极管书上第八章部分内容√§8.2表面电场效应√§8.3MIS结构的电容-电压特性书上第九章部分内容***SemiconductorPhysicsSemiconductorPhysicsMOS结构的阈值电压通常把使半导体表面强反型（Ψs=2ΨF）所需加在金属栅极上的电压定义为阈值电压，又可称开启电压。理想MOS结构的阈值电压（P型半导体衬底）耗尽层中电荷量式（7-7）式（7-8）W耗尽层宽度当Ψs=2ΨF时，W=Wm式（7-10）P型半导体衬底理想MOS结构阈值电压表达式N型半导体衬底理想MOS结构阈值电压表达式【例7-1】一个衬底NA=1017cm-3的理想MOS结构，设氧化层厚度Xox=50?，试计算单位面积氧化层电容COX和Ψs=2ΨF的值。最大耗尽层宽度Wm和半导体中每单位面积的空间电荷QSC的值。二氧化硅和硅的相对介电常数分别是3.9和11.9。解：由式（7-2）得由式（7-7）得由式（7-10）得由式（7-8）得实际MOS结构的阈值电压（P型半导体衬底）在实际MOS结构中，由于固定氧化层正电荷（QSS）以及功函数差的作用都是使平带电压偏移，半导体表面能带向下弯曲，而要克服它们的影响，必须在栅上施加一个VFB电压（负的），来拉平下弯能带，而使之成为理想MOS结构，由此可见，实际MOS结构的阈值电压VT比理想MOS结构的阈值电压多出一个VFB电压值。由P型半导体构成的实际MOS结构由N型半导体构成的实际MOS结构【例7-2】对【例7-1】中，假设N+多晶硅与衬底的平带电压为-1.10V，试计算阈值电压。解：由例7-1中，可以得到COX＝6.90×10-7F/cm2，2ΨF＝0.82V，则SemiconductorPhysics**★C-V特性的应用求氧化层厚度dOX:COX→dOX求半导体掺杂浓度NA(ND):[C’min+dOX]→NA(ND)计算,或表8-12求氧化层中总有效电荷面密度QOX:[dOX+NA]→CFBVFB→QOXSemiconductorPhysics**多晶硅功函数和耗尽效应非平衡和栅控二极管情形的MOS特征带带隧穿(band-to-bandtunneling)栅介质SiO2层的隧穿电流热载流子注入（InjectionofHotCarrier）金属栅和高K栅介质的应用§6MOS结构中的其它效应SemiconductorPhysics**多晶硅功函数和耗尽效应在集成电路技术中，传统的栅电极为重掺杂多晶硅栅。重掺杂多晶硅作为栅电极的好处是其功函数通过掺杂进行调制。通常，将nMOS和pMOS的多晶硅栅电极的费米能级分别调至导带和价带附近，即EF=EC或EF=EV，功函数差分别为：SemiconductorPhysics**多晶硅功函数和耗尽效应SemiconductorPhysics**多晶硅功函数和耗尽效应SemiconductorPhysics**多晶硅功函数和耗尽效应SemiconductorPhysics**非平衡和栅控二极管情形的MOS特征SemiconductorPhysics**非平衡和栅控二极管情形的MOS特征这说明，在表面少子电子的浓度远小于体内多子浓度Na（也是耗尽层电荷密度），因此，表面仍然维持耗尽。在平衡情形下足够反型的栅压，在反向偏置下，并不能使之反型。这是因为，反向偏置降低了电子的准费米能级，在表面能带的弯曲达到平衡时强反型要求的2ψB时，相对于准电