第三章半导体中载流子的平衡统计分布.ppt

******************************************SemiconductorPhysics**载流子浓度可以用带边(EC,EV)与EF的差来表示,也可以用EF与Ei的差来表示:SemiconductorPhysics**能隙宽度–Eg态密度有效质量—mn*,mp*等效(有效)状态密度—NC,NV本征载流子浓度—ni从上表可以看到本征载流子浓度计算值和测量值符合的很好；SemiconductorPhysics**§5杂质半导体的载流子浓度室温下,载流子浓度和EF的定性图象杂质能级上的电子和空穴n型半导体的电子浓度和EFp型半导体的空穴浓度和EF载流子浓度和EF随杂质浓度的变化少数载流子浓度SemiconductorPhysics**★室温下,杂质半导体的载流子浓度和EF的定性图象本征半导体:n=pn型半导体:n?pp型半导体:p?nSemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**★杂质能级的占据几率杂质能级和能带中的能级的区别：?在能带中,每一个能级可容纳二个电子；?然而,电子或空穴占据杂质能级时，状态是简并的；?施主能级可以容纳一个电子(这电子很易失去),这电子可取两种自旋态之一；?受主能级可以容纳一个空穴(这空穴也易电离),这空穴可取两种自旋态之一；SemiconductorPhysics**费米分布函数电子占据空穴占据施主能级的几率受主能级的几率SemiconductorPhysics**★杂质半导体中的载流子浓度施主能级上的电子浓度nD=NDfD电离施主浓度nD+=ND–nD=ND(1–fD)受主能级上的空穴浓度pA=NAfA电离受主浓度pA-=NA-pA=NA(1–fA)SemiconductorPhysics**★电中性条件一般情况,半导体中既有施主杂质,又有受主杂质(假定只有一种施主,一种受主):由电中性条件有：n+(NA-pA)=p+(ND–nD)?n型半导体(只考虑施主杂质)n=p+(ND–nD)?p型半导体(只考虑受主杂质)n+(NA-pA)=pSemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**★n型半导体的电子浓度和EF①低温弱电离区n=(ND–nD);n=nD+?ND可以通过实验测定n~T关系来确定杂质电离能；SemiconductorPhysics**当T=0K时费米能级位于导带底部和施主能级中间；当Nc=0.11ND时候，EF达到极值；SemiconductorPhysics**②中间电离区仍有电中性条件n=(ND–nD)但n=nD+?ND已不再成立在此温度区域中有：T↗,EF↘,n↗当温度升高到EF=ED时，施主杂质有1/3电离；SemiconductorPhysics**③强电离区(a)强电离区的EF和导带电子浓度:n=(ND–nD);n≈NDT↗,EF↘?当(