第三章半导体中载流子的平衡统计分布-2.ppt

在超真空（10-6~10-9Pa）容器内蒸发材料，获得材料分子束，并使之碰撞在基片上进行外延生长。优点：生长真空度高、温度低和生长速度小。不足之处：成本昂贵且不适用于同时多个衬底生长。用途：（1）制备超晶格结构；（2）生长具有多层结构的薄膜外延层---各种异质结。特点:(a)它是个超高真空的物理淀积过程，不考虑化学反应和质量传输，膜的组份和杂质浓度因源而调整；(b)它的温度最低，有效控制自掺杂和衬底热分解(c)测试设备先进，生长速度严格控制，低达每分钟几十纳米。分子束外延法(MBE－MolecularBeamEpitaxy)化学束外延CBE用气态源代替固态源进行MBE生长，即所谓的气态源MBE，称为化学束外延生长（ChemicalBeamEpitaxy，CBE）****************在导体内：自由移动的电子在半导体中：电子或空穴在电解液中：正、负离子气体中：正、负离子，或自由电子。*在导体内：自由移动的电子在半导体中：电子或空穴在电解液中：正、负离子气体中：正、负离子，或自由电子。*在导体内：自由移动的电子在半导体中：电子或空穴在电解液中：正、负离子气体中：正、负离子，或自由电子。*在导体内：自由移动的电子在半导体中：电子或空穴在电解液中：正、负离子气体中：正、负离子，或自由电子。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。锗单晶主要用直拉法，硅用直拉法和悬浮区熔法一、直拉法(CZ)

85%以上的单晶硅都采用CZ法生长出来直拉法是生长元素（III-V族化合物）半导体体单晶的主要方法。该法是在盛有熔硅或锗的坩埚内，引入籽晶作为非均匀晶核，然后控制温度场，将籽晶旋转并缓慢向上提拉，晶体便在籽晶下按籽晶的方向长大。一块具有所需要晶向的单晶硅作为籽晶来生长硅锭，生长的单晶硅就像是籽晶的复制品坩锅里的硅被单晶炉加热，硅变成熔体籽晶与熔体表面接触，并旋转，旋转方向与坩锅的旋转方向相反。随着籽晶在直拉过程中离开熔体，熔体上的液体会因为表面张力而提高。随着籽晶从熔体中拉出，与籽晶有同样晶向的单晶就生长出来。工艺过程1.籽晶熔接:使坩埚中的多晶硅完全熔化，将籽晶下降与液面接近，使籽晶预热几分钟，以除去表面挥发性杂质同时可减少热冲击2.引晶和缩颈：当温度稳定时，可将籽晶与熔体接触。浸润良好时，开始缓慢提拉，随着籽晶上升硅在籽晶头部结晶，这一步骤叫“引晶”。“缩颈”是指在引晶后略为降低温度，提高拉速，拉一段直径比籽晶细的部分。其目的是排除接触不良引起的多晶和尽量消除籽晶内原有位错的延伸。颈一般要长于20mm3.放肩：缩颈工艺完成后，略降低温度，让晶体逐渐长大到所需的直径为止。这称为“放肩”。在放肩时可判别晶体是否是单晶，否则要将其熔掉重新引晶。单晶体外形上的特征—棱的出现可帮助我们判别，111方向应有对称三条棱，100方向有对称的四条棱。4.等径生长：当晶体直径到达所需尺寸后，提高拉速，使晶体直径不再增大，称为收肩。收肩后保持晶体直径不变，就是等径生长。此时要严格控制温度和拉速不变。5.收晶：晶体生长所需长度后，拉速不变，升高熔体温度或熔体温度不变，加快拉速，使晶体脱离熔体液面。优点：所生长单晶的直径较大优点：成本相对较低缺点：熔体与坩埚接触，易引入氧杂质，不易生长高电阻率单晶（含氧量通常10-40ppm)SiO2=Si+O2（石英坩锅高温下）当单晶在300-600度冷却时，氧会被激活成为施主掺杂时，沿轴向电阻率分布不均匀，对于k小于1的杂质，靠近籽晶的一端电阻率较高直拉法生长单晶的特点CZ法的改进工艺磁控拉晶法液封拉晶法给坩埚内熔体施加水平或垂直磁场，抑制熔体的对流，达到消除对流条纹缺陷的目的。在熔体的表面多了一层覆盖剂，通过覆盖剂密封可实现高压下拉晶，是制备大分解压化合物半导体单晶的理想方法。水平区熔法生长单晶（锗）悬浮区熔法生长单晶（硅）二、区熔法外延生长外延是在单晶上生长一层同质或异质的薄膜层。薄膜制备技术1．物理气相沉积（PhysicalVaporDeposition，PVD）2