第七章半导体界面问题-半导体表面电场效应.ppt

*****************表面积累（对P型半导体而言）施加一个负电压（V＜0）于金属平板上时，半导体表面将产生超量的正载流子（空穴），表面势为负，表面能带向上弯曲，如图（a）所示。半导体表面向上弯曲的能带使得Ei-EF的能级差变大，价带顶逐渐移近甚至超过表面费米能级，进而提高空穴浓度，造成表面空穴堆积，此种情况称为表面积累。与之对应电荷分布如右半部分所示，其中，QS为半导体中每单位面积的正电荷量，而Qm为金属中每单位面积的负电荷量，它们的数量是相等的，符号相反。表面耗尽施加一个正电压（V＞0）于金属板上时，表面势为正值，表面处能带向下弯曲，如图（b）所示。这时越接近表面，价带顶离费米能级越远，价带中空穴浓度随之降低。并且，外加正电压越大，能带向下弯曲越深；越接近表面，空穴浓度比体内低得多，表面层的负电荷基本上等于电离受主杂质浓度，这种情况称表面耗尽。半导体中每单位面积的空间电荷QSC的值为qNAW，其中W为表面耗尽区的宽度。表面反型施加一个更大正电压时，表面处能带进一步向下弯曲，如图（c）所示。表面处费米能级位置高于禁带中央能级Ei，也就是说，费米能级离导带底比离价带顶更近一些，这意味着表面处性质发生根本性变化，表面电子浓度超过空穴浓度，表面导电类型由空穴型转变成电子型，这种情况称表面反型。反型层Xi发生在近表面，且厚度很薄，而紧靠其内部还夹着一层耗尽层，厚度比反型层大很多。对于N型半导体，同样可证明：金属电极加正电压为电子积累；加小负电压为耗尽状态；而负电压进一步增大时，表面空穴堆积出现反型层。SemiconductorPhysics**定性图象:设半导体表面有外电场?i(以指向半导体表面为正).半导体?i0(VS0)?i0(VS0)n型电子积累表面耗尽, 表面反型p型表面耗尽,空穴积累表面反型SemiconductorPhysics**p型?i0(VS0)SemiconductorPhysics**对表面空间电荷区的一般讨论:解泊松方程(空间电荷区中电势满足的方程)其中SemiconductorPhysics**求解方程,可得到表面空间电荷层的基本参数:?表面电场强度Es(Vs)?表面空间电荷面密度Qsc(Vs)?单位面积的空间电荷层电容Csc(Vs)应用C-V特性研究表面空间电荷层SemiconductorPhysics**我们将直接讨论各种典型情况下的空间电荷区,给出半定量或定性的结果:?当外加电场?i变化(外加电压变化),表面势VS(表面空间电荷层)随之变化的情况。?讨论表面空间电荷面密度QSC和空间电荷层电容(单位面积)CSC随表面势VS的变化的情况。SemiconductorPhysics**★几种典型情况以p型半导体表面为例①表面积累(多数载流子堆积状态):?当?i0,表面空穴积累,QSC0能带上弯,VS0?空穴积累于靠近表面的薄层,且随表面势数值的增加而迅速增加.?CSC很大SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**②表面耗尽:??i0,VS0,能带下弯,QSC0?当0VS2VB,可应用耗尽层近似其中,eVB=(Ei-EF)p?此时,-ρ(x)=eNA,泊松方程为:SemiconductorPhysics**?解泊松方程,得到:SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**③表面反型(强反型):?当VS=2VB耗尽层宽度达到最大??i继续增加,VS2VB,表面nSpB?CSC很大SemiconductorPhysics**③SemiconductorPhys