第四章电磁场中的输运现象-2.ppt

********************************在导体内：自由移动的电子在半导体中：电子或空穴在电解液中：正、负离子气体中：正、负离子，或自由电子。*在导体内：自由移动的电子在半导体中：电子或空穴在电解液中：正、负离子气体中：正、负离子，或自由电子。*在导体内：自由移动的电子在半导体中：电子或空穴在电解液中：正、负离子气体中：正、负离子，或自由电子。*在导体内：自由移动的电子在半导体中：电子或空穴在电解液中：正、负离子气体中：正、负离子，或自由电子。*在导体内：自由移动的电子在半导体中：电子或空穴在电解液中：正、负离子气体中：正、负离子，或自由电子。*在导体内：自由移动的电子在半导体中：电子或空穴在电解液中：正、负离子气体中：正、负离子，或自由电子。*****SemiconductorPhysics**§5霍耳效应(1)??????现象(2)??????一种载流子的霍耳效应(3)??????两种载流子的霍耳效应(4)??????霍耳效应的应用霍尔效应把通有电流的半导体放在均匀磁场中，设电场沿x方向，电场强度为Ex；磁场方向和电场垂直，沿z方向，磁感应强度为Bz，则在垂直于电场和磁场的+y和-y方向将产生一个横向电场Ey，这个现象称为霍耳效应。SemiconductorPhysics**★现象通有电流的半导体,置于均匀磁场中，磁场方向与电流方向垂直,则半导体中将产生一横向电场.Hall电场:EY=RHJXBZHall系数:RH(m3/C)BABzdbVHIlzyx+_○fεxfLfEyP型半导体霍耳效应的形成过程电场力：fε=qEx磁场力：fL=qVxBzy方向的电场强度为：Ey（霍耳电场）平衡后：fExfLqEy令：（RH）P为P型材料的霍尔系数。P型半导体x方向施加电场Ex，电流密度为Jx,z方向施加磁场Bzy方向产生的电场Ey为：RH称为霍尔系数，单位为：m3C-1二、霍尔系数(RH)P和霍尔角(θ)BABzdbVHIlzyx+_●fLfexfEyn型半导体对P型半导体：对n型半导体：N型和p型半导体的霍尔电场方向相反，故霍尔系数符号相反。霍尔系数半导体的霍尔系数与载流子浓度成反比，所以半导体的霍耳效应比金属强得多；由测量霍尔系数可以直接测得载流子浓度，并且可以确定载流子的种类；根据电导和载流子浓度的测量结果，与理论计算的结果比较，可以会的带隙宽度、杂质电离能和杂质浓度等信息。SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**产生原因:载流子受到洛仑兹力而发生偏转,从而在横向造成电荷积累,形成横向电场SemiconductorPhysics**设样品长度为l，宽度为b，厚度为d：l≥b、d测量霍尔电压VH霍耳系数的测量霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度，与载流材料的物理性质和几何尺寸有关；灵敏度kH与霍尔片厚度d成反比。为了提高灵敏度,霍尔元件常制成薄片形状。薄膜霍尔元件厚度只有1μm左右。SemiconductorPhysics**★一种载流子的霍耳效应讨论载流子系统的动量平衡方程.?对p型半导体,讨论空穴系统:得到:RH=1/pe,RH0SemiconductorPhysics**?对n型半导体,讨论电子系统.动量平衡方程为:得到:RH=-1/ne,RH0SemiconductorPhysics**总之①p型半导体与n型半导体的Hall电场方向相反(Hall系数符号相反)②载流子浓度越小,Hall系数越大③总电场与电流的夹角--霍耳角θp型材料θ0n型材料θ0SemiconductorPhysics**★