第三章 晶体缺陷课件.pptVIP

第三章晶体缺陷⑶置换（取代）型固溶体与填隙型固溶体①等价取代②不等价取代高价置换低价：形成阳离子空位和阴离子填隙低价置换高价：形成阴离子空位和阳离子填隙第三章晶体缺陷⑷连续固溶体与不连续（有限）固溶体影响因素a.离子大小第三章晶体缺陷b.晶体结构类型第三章晶体缺陷c.离子的类型和键性化学键性质相近，即取代前后离子间键性相近，容易形成固溶体。d.离子电价等价取代可能形成连续固溶体不等价取代只可能形成有限固溶体第三章晶体缺陷4.形成固溶体的作用⑴稳定晶型，阻止晶型转变ZrO2是高温耐火材料，熔点2680℃，但发生相变时伴随7～9%体积收缩，导致开裂。若加入CaO，则和ZrO2形成固溶体，无晶型转变，体积效应减少，使ZrO2成为一种很好的高温结构材料。⑵活化晶格Al2O3熔点高（2050℃），不利于烧结，若加入TiO2，可使烧结温度下降到1600℃。这主要因为：Al2O3与TiO2形成固溶体，Ti4+置换Al3+，同时产生正离子空位，加快扩散，有利于烧结进行。⑶固溶强化固溶体强度与硬度高于各组元，而塑性则较低。第三章晶体缺陷5.固溶体的研究方法㈠理论密度的计算第三章晶体缺陷㈡固溶体化学式的写法第三章晶体缺陷例题：在ZrO2中加入CaO，生成固溶体，在1600℃，该固溶体具有萤石结构，经XRD分析，当溶入0.15分子CaO时，晶胞参数a＝0.513nm，测得密度D=5.447g/cm３,求计算密度，并判断固溶体的种类。第三章晶体缺陷第三章晶体缺陷§3.1.6非化学计量化合物1.定义：组成上偏离了化学计量的化合物称非化学计量化合物。2.类型⑴负离子缺位型Ti02、ZrO2会产生这种缺陷，分子式可写为TiO2-x，ZrO2-x。产生原因：环境中缺氧，晶格中的氧逸出到大气中，使晶体中出现了氧空位。第三章晶体缺陷第三章晶体缺陷一、点缺陷热缺陷固溶体非化学计量化合物二、线缺陷三、面缺陷第三章晶体缺陷缺陷的含义：通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。理想晶体：质点严格按照空间点阵排列。实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性。第三章晶体缺陷晶体结构缺陷的类型分类方式：几何形态：点缺陷、线缺陷、面缺陷等形成原因：热缺陷、固溶体、非化学计量化合物等第三章晶体缺陷§3.1点缺陷（零维缺陷）?缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。§3.1.1类型①根据点缺陷对理想晶格偏离的几何位置分类a.空位（vacancy）没有被占据的正常结点的位置b.间隙质点（interstitialparticle）进入晶格间隙的质点c.杂质质点（foreignparticle）?占据正常结点位置或间隙位置的外来质点第三章晶体缺陷晶体中的点缺陷

空位杂质质点间隙质点第三章晶体缺陷②按缺陷产生的原因分类a.热缺陷b.固溶体c.非化学计量化合物第三章晶体缺陷§3.1.2点缺陷的符号表征:Kroger-Vink符号以MX型化合物为例：①空位（vacancy）用V来表示，符号中的右下标表示缺陷所在位置，VM含义即M原子位置是空的。②间隙原子（interstitial）亦称为填隙原子，用Mi、Xi来表示，其含义为M、X原子位于晶格间隙位置。③杂质质点（foreignparticle）杂质质点用NM表示,NM的含义是N质点占据M质点的位置。因此该缺陷又称为错放质点。第三章晶体缺陷④自由电子（electron）与电子空穴(hole）分别用e，和h·来表示。其中右上标中的一撇“，”代表一个单位负电荷，一个圆点“·”代表一个单位正电荷。在某种光、电、热的作用下，可以在晶体中运动，它们不属于某一特定原子第三章晶体缺陷⑤带电缺陷在NaCl晶体中，取出一个Na+离子，会在原来的位置上留下一个电子e，，写成VNa’，即代表Na+离子空位，带一个单位负电荷。同理，Cl－离子空位记为VCl·，带一个单位正电荷。即：VNa’=VNa＋e，，VCl·=VCl＋h·。第三章晶体缺陷其它带电缺陷：a.CaCl2加入NaCl晶体时，若Ca2+离子位于Na+离子位置上，其缺陷符号为CaNa·，此符号含义为Ca2+离子占据Na+离子位置，带有一个单位正电荷。b.CaZr,,表示