微电子学概论课件.pptVIP

;微电子学:Microelectronics

微电子学——微型电子学

核心——集成电路;集成电路:

IntegratedCircuit，缩写IC

通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能;集成电路设计与制造的主要流程框架;微电子科学技术的战略地位;实现社会信息化的网络及其关键部件不管是各种计算机和/或通讯机，它们的基础都是微电子

1946年第一台计算机:ENIAC;第一台通用电子计算机:ENIAC

ElectronicNumericalIntegratorandCalculator

1946年2月14日

MooreSchool，Univ.ofPennsylvania

18,000个电子管组成;集成电路的作用;;晶体管的发明;1947年12月23日

第一个晶体管

NPNGe晶体管

W.Schokley

J.Bardeen

W.Brattain

;晶体管的三位发明人:巴丁、肖克莱、布拉顿;集成电路的发明;1958年第一块集成电路:TI公司的Kilby，12个器件，Ge晶片;微电子发展史上的几个里程碑;不断提高产品的性能价格比是微电子技术发展的动力

集成电路芯片的集成度每三年提高4倍,而加工特征尺寸缩小倍,这就是摩尔定律;Part2

;我国微电子学的历史;我国微电子学的历史;Part3;集成电路分类;集成电路按器件结构类型分类;集成电路按集成电路规模分类;按结构形式的分类;按电路功能分类;集成电路的分类;微电子的特点;微电子的特点;Part4;固体材料:超导体:大于106(?cm)-1

导体:106~104(?cm)-1

半导体:104~10-10(?cm)-1

绝缘体:小于10-10(?cm)-1;2.半导体中的载流子:能够导电的自由粒子;电子:Electron，带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子

空穴:Hole，带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位;价带:0K条件下被电子填充的能量最高的能带

导带:0K条件下未被电子填充的能量最低的能带

禁带:导带底与价带顶之间能带

带隙:导带底与价带顶之间的能量差;半导体中载流子的行为可以等效为自由粒子,但与真空中的自由粒子不同,考虑了晶格作用后的等效粒子

有??质量可正、可负,取决于与晶格的作用;施主和受主浓度：ND.NA;本征载流子浓度:n=p=ninp=ni2

ni与禁带宽度和温度有关;多子:多数载流子

n型半导体:电子

p型半导体:空穴

少子:少数载流子

n型半导体:空穴

p型半导体:电子;8.过剩载流子;影响迁移率的因素:

有效质量

平均弛豫时间（散射〕;Part5

半导体物理学;微电子学研究领域;固体材料分成:超导体、导体、半导体、绝缘体;晶体结构;晶体结构;固体材料分成:超导体、导体、半导体、绝缘体;半导体的能带;有效质量的意义;与理想情况的偏离;间隙式杂质、替位式杂质;间隙式杂质、替位式杂质;;;;;;;本征半导体载流子浓度;;热运动;热运动;散射的原因;由于受外界因素如光、电的作用,半导体中载流子的分布偏离了平衡态分布,称这些偏离平衡分布的载流子为过剩载流子,也称为非平衡载流子;小注入条件;非平衡载流子寿命;复合;PN结杂质分布;反向击穿;Part6半导体的导电性;;散射的原因;平衡载流子;由于受外界因素如光、电的作用,半导体中载流子的分布偏离了平衡态分布,称这些偏离平衡分布的载流子为过剩载流子,也称为非平衡载流子;小注入条件;

;PN结杂质分布;6.PN结击穿;雪崩击穿

;在高电场下耗尽区的共价键断裂产生电子和空穴,即有些价电子通过量子力学的隧道效应从价带转移到导带,从而形成反向隧道电流。

属于非破坏性可逆击穿。

隧道击穿机制用于描述具有低击穿电压的结。如硅PN结,VB4.5V

雪崩击穿机制适用于在高电压下击穿的结,如硅PN结,VB6.7V

;热击穿

热损耗?局部升温?电流增加

属于破坏性不可逆击穿

;Part7

集成电路制造工艺;集成电路设计与制造的主要流程框架;集成电路制造工艺;图形转换:光刻;正胶:曝光后可溶

负胶:曝光后不可溶;图形转换:光刻;图形转换:光刻;图形转换:刻蚀技术;图形转换: