- 1
- 0
- 约8.69千字
- 约 8页
- 2024-11-28 发布于广东
- 举报
SVG108R5NAM(T)说明书
94A、100VN沟道增强型场效应管
描述
SVG108R5NAM(T)N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士
兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较
低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
94A,100V,RDS(on)(典型值)7.2m@VGS10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVG108R5NAMTO-251D-3L108R5NAM无卤料管
SVG108R5NATTO-220-3L108R5NAT无铅料管
杭州士兰微电子股份有限公司
您可能关注的文档
- 士兰微一级代理商SVGQ042R8NL5V-2HS深圳恒锐丰科技.pdf
- 士兰微一级代理商SVS5N70DD2深圳恒锐丰科技.pdf
- 士兰微一级代理商SVS5N70D深圳恒锐丰科技.pdf
- 士兰微一级代理商SVS7N60DD2深圳恒锐丰科技.pdf
- 士兰微一级代理商SVS7N65D深圳恒锐丰科技.pdf
- 士兰微一级代理商SVS7N65FJD2深圳恒锐丰科技.pdf
- 士兰微一级代理商SVS7N70DD2深圳恒锐丰科技.pdf
- 士兰微一级代理商SVS7N70D深圳恒锐丰科技.pdf
- 士兰微一级代理商SVS11N65DD2深圳恒锐丰科技.pdf
- 士兰微一级代理商SVS11N65F深圳恒锐丰科技.pdf
原创力文档

文档评论(0)